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半导体研究所 [8]

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半导体材料 [8]

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限定条件	学科主题：半导体材料

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	Homogeneous Epitaxial Growth of N,N '-di(n-butyl)quinacridone Thin Films on Ag(110) 期刊论文 journal of nanoscience and nanotechnology, 2010, 卷号: 10, 期号: 11 sp. iss. si, 页码: 7162-7166 Lin F (Lin Feng); Fang ZY (Fang Zheyu); Qu SC (Qu Shengchun); Huang S (Huang Shan); Song WT (Song Wentao); Chi LF (Chi Lifeng); Zhu X (Zhu Xing) 收藏 \| 浏览/下载：19/0 \| 提交时间：2010/11/30 MOLECULAR-BEAM DEPOSITION QUASIEPITAXIAL GROWTH ORGANIC FILMS LEED PTCDA STM MONOLAYERS GRAPHITE
	Scanning electron microscopy observation of in-device InAs/AlAs quantum dots by selective etching of capping layers 期刊论文 modern physics letters b, 2007, 卷号: 21, 期号: 14, 页码: 859-866 Sun, J; Zhou, DY; Li, RY; Zhao, C; Ye, XL; Xu, B; Chen, YH; Wang, ZG 收藏 \| 浏览/下载：65/5 \| 提交时间：2010/03/08 III-V semiconductors quantum dots scanning electron microscopy selective etching
	Electrical properties of B-doped polycrystalline silicon thin films prepared by rapid thermal chemical vapour deposition 期刊论文 thin solid films, 2006, 卷号: 497, 期号: 1-2, 页码: 157-162 Ai B; Shen H; Liang ZC; Chen Z; Kong GL; Liao XB 收藏 \| 浏览/下载：49/0 \| 提交时间：2010/04/11 chemical vapour deposition electrical properties and measurements scanning electron microscopy polycrystalline silicon GRAIN-BOUNDARIES STATES
	Fabrication of GdSi2 film by low-energy ion-beam implantation 期刊论文 journal of crystal growth, 2004, 卷号: 262, 期号: 1-4, 页码: 186-190 Li YL; Chen NF; Zhou JP; Song SL; Yang SY; Liu ZK 收藏 \| 浏览/下载：44/14 \| 提交时间：2010/03/09 scanning electron microscopy
	Selective area growth of GaN on GaAs(001) substrates by metalorganic vapor-phase epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 252, 期号: 1-3, 页码: 9-13 Shen XM; Feng G; Zhang BS; Duan LH; Wang YT; Yang H 收藏 \| 浏览/下载：38/0 \| 提交时间：2010/08/12 scanning electron microscopy X-ray diffraction Metalorganic vapor phase epitaxy selective area growth gallium nitride CUBIC GAN OVERGROWN GAN DEPOSITION GAAS(100)
	Temperature dependence of the optical properties of InAs/GaAs self-organized quantum dots with bimodal size distribution 期刊论文 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 209, 期号: 4, 页码: 630-636 Wang HL; Ning D; Feng SL 收藏 \| 浏览/下载：50/0 \| 提交时间：2010/08/12 self-organized quantum dots InAs/GaAs MBE PL STM bimodal size distribution MOLECULAR-BEAM EPITAXY ELECTRONIC-STRUCTURE CARRIER RELAXATION GROWTH PHOTOLUMINESCENCE TRANSITION
	TEM study of dislocations in ZnTe/GaAs heterostructure grown by hot-wall epitaxy 期刊论文 defect and diffusion forum, 1999, 卷号: 174, 期号: 0, 页码: 59-65 作者: Han PD 收藏 \| 浏览/下载：39/0 \| 提交时间：2010/08/12 HREM large-angle stereo-projection misfit dislocations stacking faults TEM LAYER SUPERLATTICES ELECTRON-MICROSCOPY
	The structures and transformations on Si(113) surface 期刊论文 applied surface science, 1997, 卷号: 120, 期号: 0, 页码: 94-98 Feng KA; Mu XM; Lin ZD; Xing YR 收藏 \| 浏览/下载：20/0 \| 提交时间：2010/11/17 ATOMIC-STRUCTURE RECONSTRUCTION DIAMOND SI SILICON HYDROGEN SI(100) LEED STM GE

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