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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Impact of symmetrized and Burt-Foreman Hamiltonians on spurious solutions and energy levels of InAs/GaAs quantum dots 期刊论文 chinese physics b, 2010, 卷号: 19, 期号: 8, 页码: art. no. 088102 Gu YX (Gu Yong-Xian); Yang T (Yang Tao); Ji HM (Ji Hai-Ming); Xu PF (Xu Peng-Fei); Wang ZG (Wang Zhan-Guo) 收藏  |  浏览/下载：141/24  |  提交时间：2010/09/07 quantum dot  symmetrized Hamiltonian  Burt-Foreman Hamiltonian  finite element method  spurious solutions  EFFECTIVE-MASS APPROXIMATION  P THEORY