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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Narrowing of band gap and low-temperature spin glass behavior of FeNi co-doped ZnO nanowires 期刊论文 epl, 2009, 卷号: 87, 期号: 5, 页码: art. no. 57004 Iqbal J; Liu XF; Majid A; Yu DP; Yu RH 收藏  |  浏览/下载：92/34  |  提交时间：2010/03/08 ROOM-TEMPERATURE  PHOTOLUMINESCENCE  FERROMAGNETISM  FILMS  SPINTRONICS  PRINCIPLES   Comparison of valence band x-ray photoelectron spectrum between Al-N-codoped and N-doped ZnO films 期刊论文 applied physics letters, 2006, 卷号: 88, 期号: 6, 页码: art.no.602110 作者:  Han XX;  Wei HY 收藏  |  浏览/下载：710/6  |  提交时间：2010/04/11 P-TYPE CONDUCTION  THIN-FILMS  OHMIC CONTACTS   Amorphous silicon carbide films prepared by H-2 diluted silane-methane plasma 期刊论文 journal of crystal growth, 2004, 卷号: 264, 期号: 1-3, 页码: 7-12 Hu ZH; Liao XB; Diao HW; Kong GL; Zeng XB; Xu YY 收藏  |  浏览/下载：32/3  |  提交时间：2010/03/09 annealing   Formation of InAs quantum dots on low-temperature GaAs epi-layer 期刊论文 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 218, 期号: 2-4, 页码: 209-213 Wang XD; Niu ZC; Wang H; Feng SL 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2010/08/12 quantum dot  low-temperature GaAs  As precipitates  annealing  TEM  PL  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  ISLANDS  GROWTH  SURFACES