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半导体研究所 [24]
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期刊论文 [23]
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2010 [1]
2007 [1]
2006 [3]
2005 [1]
2004 [1]
2003 [2]
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学科主题
半导体材料 [24]
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学科主题:半导体材料
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Growing 20 cm Long DWNTs/TWNTs at a Rapid Growth Rate of 80-90 mu m/s
期刊论文
chemistry of materials, 22 (4): feb 23 2010, 2010, 卷号: 22, 期号: 4, 页码: 1294-1296
Wen Q (Wen Qian)
;
Zhang RF (Zhang Rufan)
;
Qian WZ (Qian Weizhong)
;
Wang YR (Wang Yuran)
;
Tan PH (Tan Pingheng)
;
Nie JQ (NieJingqi)
;
Wei F (Wei Fei)
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浏览/下载:130/7
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提交时间:2010/04/13
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
WALLED CARBON NANOTUBES
WATER
ULTRALONG
CATALYSTS
MECHANISM
Rapid thermal annealing properties of ZnO films grown using methanol as oxidant
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2007, 卷号: 40, 期号: 19, 页码: 6010-6013
Zhang PF (Zhang, P. F.)
;
Liu XL (Liu, X. L.)
;
Wei HY (Wei, H. Y.)
;
Fan HB (Fan, H. B.)
;
Liang ZM (Liang, Z. M.)
;
Jin P (Jin, P.)
;
Yang SY (Yang, S. Y.)
;
Jiao CM (Jiao, C. M.)
;
Zhu QS (Zhu, Q. S.)
;
Wang ZG (Wang, Z. G.)
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2010/03/29
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
Electrical properties of undoped In0.53Ga0.47As grown on InP substrates by molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 2006, 卷号: 293, 期号: 2, 页码: 291-293
Cui LJ (Cui L. J.)
;
Zeng YP (Zeng Y. P.)
;
Wang BQ (Wang B. Q.)
;
Zhu ZP (Zhu Z. P.)
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2010/04/11
characterization
point defects
molecular beam epitaxy
semiconducting gallium compounds
semiconducting indium compounds
semiconducting ternary compounds
1.55 MU-M
QUANTUM-WELLS
TEMPERATURE
GAAS
Electrical properties of B-doped polycrystalline silicon thin films prepared by rapid thermal chemical vapour deposition
期刊论文
thin solid films, 2006, 卷号: 497, 期号: 1-2, 页码: 157-162
Ai B
;
Shen H
;
Liang ZC
;
Chen Z
;
Kong GL
;
Liao XB
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浏览/下载:49/0
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提交时间:2010/04/11
chemical vapour deposition
electrical properties and measurements
scanning electron microscopy
polycrystalline silicon
GRAIN-BOUNDARIES
STATES
The effect of AlN growth time on the electrical properties of Al0.38Ga0.62N/AlN/GaN HEMT structures
期刊论文
journal of crystal growth, 2006, 卷号: 289, 期号: 2, 页码: 415-418
Wang CM
;
Wang XL
;
Hu GX
;
Wang JX
;
Xiao HL
;
Li JP
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浏览/下载:45/0
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提交时间:2010/04/11
2DEG
MOCVD
semiconducting III-V materials
HEMT
power devices
HETEROSTRUCTURES
PASSIVATION
SAPPHIRE
ALGAN
FIELD
GAS
Rapid thermal annealing effects on structural and optical properties of self-assembled InAs/GaAs quantum dots capped by InAlAs/InGaAs layers
期刊论文
chinese physics letters, 2005, 卷号: 22, 期号: 4, 页码: 967-970
Lu, W
;
Li, DB
;
Zhang, ZY
;
Li, CR
;
Zhang, Z
;
Xu, B
;
Wang, ZG
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浏览/下载:52/0
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提交时间:2010/03/17
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
Temperature-induced switching-over of the luminescence transitions in GaInNAs/GaAs quantum wells
期刊论文
chinese physics letters, 2004, 卷号: 21, 期号: 3, 页码: 548-551
Bian LF
;
Jiang D
;
Liang XG
;
Lu SL
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浏览/下载:41/18
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提交时间:2010/03/09
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
The evolution of InAs/InAlAs/InGaAlAs quantum dots after rapid thermal annealing
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 253, 期号: 1-4, 页码: 59-63
作者:
Xu B
;
Jin P
;
Li CM
;
Ye XL
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浏览/下载:48/0
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提交时间:2010/08/12
low dimensional structures
nanostructures
quantum dots
molecular beam epitaxy
semiconducting III-V materials
laser diode
TIME-RESOLVED PHOTOLUMINESCENCE
The effects of rapid thermal annealing on the optical properties of Zn1-xMnxSe epilayer grown by MOCVD on GaAs substrate
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 249, 期号: 3-4, 页码: 538-543
作者:
Zhang JY
;
Jiang DS
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浏览/下载:83/0
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提交时间:2010/08/12
photoluminescence
metalorganic chemical vapor deposition
epilayer
semiconducting II-VI materials
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GAP
The effects of concomitant In and N incorporation on the photoluminescence of GaInNAs
期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 243, 期号: 2, 页码: 261-266
作者:
Jiang DS
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浏览/下载:48/0
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提交时间:2010/08/12
photoluminescence
molecular beam epitaxy
quantum wells
III-V semiconductors
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
SINGLE-QUANTUM-WELL
LUMINESCENCE
GAAS
LOCALIZATION
BEHAVIOR
LAYER
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