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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Transport properties in a gated heterostructure with a trapezoidal AlxGa1-xAs barrier layer 期刊论文 physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2009, 卷号: 41, 期号: 8, 页码: 1379-1381 作者:  Liu J;  Zhu H 收藏  |  浏览/下载：73/2  |  提交时间：2010/03/08 HEMT  2DEG   The influence of 1 nm AlN interlayer on properties of the Al0.3Ga0.7N/AlN/GaN HEMT structure 期刊论文 microelectronics journal, 2008, 卷号: 39, 期号: 5, 页码: 777-781 Guo, LC; Wang, XL; Wang, CM; Mao, HL; Ran, JX; Luo, WJ; Wang, XY; Wang, BZ; Fang, CB; Hu, GX 收藏  |  浏览/下载：94/1  |  提交时间：2010/03/08 GaN  HEMT  2DEG  mobility  polarization   The effect of AlN growth time on the electrical properties of Al0.38Ga0.62N/AlN/GaN HEMT structures 期刊论文 journal of crystal growth, 2006, 卷号: 289, 期号: 2, 页码: 415-418 Wang CM; Wang XL; Hu GX; Wang JX; Xiao HL; Li JP 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2010/04/11 2DEG  MOCVD  semiconducting III-V materials  HEMT  power devices  HETEROSTRUCTURES  PASSIVATION  SAPPHIRE  ALGAN  FIELD  GAS   Study of persistent photoconductivity and subband electronic properties of the two-dimensional electron gas in modulation doped GaAs/AlGaAs structure 期刊论文 acta physica sinica, 2006, 卷号: 55, 期号: 3, 页码: 1379-1383 Shu Q; Shu YC; Zhang GJ; Liu RB; Yao JH; Pi B; Xing XD; Lin YW; Xu JJ; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：65/0  |  提交时间：2010/04/11 two-dimensional electron gas  quantum Hall effect  SdH oscillations  persistent photoconductivity  HETEROSTRUCTURES  ALXGA1-XAS  SCATTERING  LIFETIME  MOBILITY  GAAS  TE   Theoretical analysis of gate voltage-controlled subband states in an AlxGa1-xN/GaN heterostructure 期刊论文 physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2005, 卷号: 28, 期号: 3, 页码: 230-236 Han, XX; Li, JM; Wu, JJ; Cong, GW; Liu, XL; Zhu, QS; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：39/16  |  提交时间：2010/03/17 two-dimensional electron gas   The growth of an AlGaN/GaN modulation-doped heterostructure by NH3 source molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 1998, 卷号: 192, 期号: 1-2, 页码: 93-96 Zhang JP; Sun DZ; Li XB; Wang XL; Fu RH; Kong MY 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2010/08/12 GaN  2DEG  MD heterostructure  MBE  photoluminescence  GAN  LUMINESCENCE  PLASMA  GALLIUM NITRIDE