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科研机构
半导体研究所 [5]
内容类型
期刊论文 [5]
发表日期
2011 [1]
2003 [1]
2001 [1]
2000 [1]
1997 [1]
学科主题
半导体材料 [5]
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学科主题:半导体材料
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Anomalous Temperature Dependence of Photoluminescence in InAs/InAlGaAs/InP Quantum Wire and Dot Hybrid Nanostructures
期刊论文
chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 2, 页码: article no.27801
作者:
Xu B
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浏览/下载:54/3
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提交时间:2011/07/05
CONTINUOUS-WAVE OPERATION
EMISSION
LASERS
WAVELENGTH
EXCITONS
ENERGY
Photoluminescence of Mg-doped GaN grown by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
journal of vacuum science & technology a, 2003, 卷号: 21, 期号: 4, 页码: 838-841
Qu BZ
;
Zhu QS
;
Sun XH
;
Wan SK
;
Wang ZG
;
Nagai H
;
Kawaguchi Y
;
Hiramatsu K
;
Sawaki N
收藏
  |  
浏览/下载:293/4
  |  
提交时间:2010/08/12
P-TYPE GAN
LIGHT-EMITTING-DIODES
LOCALIZED EXCITONS
GALLIUM NITRIDE
FILMS
DEFECTS
LUMINESCENCE
COMPENSATION
SPECTROSCOPY
ACCEPTORS
Effect of InxGa1-xAs (0 <= x <= 0.4) capping layer on self-assembled 1.3 mu m wavelength InAs/GaAs quantum islands
期刊论文
journal of crystal growth, 2001, 卷号: 223, 期号: 3, 页码: 363-368
Wang XD
;
Niu ZC
;
Feng SL
;
Miao ZH
收藏
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浏览/下载:95/3
  |  
提交时间:2010/08/12
atomic force microscopy
low dimensional structures
optical microscopy
molecular beam epitaxy
nanomaterials
semiconducting III-V materials
laser diodes
TEMPERATURE-DEPENDENCE
M PHOTOLUMINESCENCE
INGAAS OVERGROWTH
GAAS
DOTS
EMISSION
ENERGY
LASER
Effects of rapid thermal annealing on self-assembled InGaAs/GaAs quantum dots superlattice
期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 208, 期号: 1-4, 页码: 791-794
Zhuang QD
;
Li JM
;
Wang XX
;
Zeng YP
;
Wang YT
;
Wang BQ
;
Pan L
;
Wu J
;
Kong MY
;
Lin LY
收藏
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浏览/下载:57/0
  |  
提交时间:2010/08/12
InGaAs/GaAs
quantum dots
superlattice
annealing
X-ray
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
INFRARED PHOTODETECTORS
STRAIN RELAXATION
LUMINESCENCE
HETEROSTRUCTURES
DEPENDENCE
ABSORPTION
THRESHOLD
OPERATION
ISLANDS
Thermoluminescence of ZnS nanoparticles
期刊论文
applied physics letters, 1997, 卷号: 70, 期号: 11, 页码: 1465-1467
Chen W
;
Wang ZG
;
Lin ZJ
;
Lin LY
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2010/11/17
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PHOTOCHEMISTRY
LUMINESCENCE
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