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科研机构
半导体研究所 [8]
内容类型
期刊论文 [6]
会议论文 [2]
发表日期
2011 [1]
2009 [2]
2007 [1]
2006 [1]
1998 [3]
学科主题
半导体材料 [8]
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学科主题:半导体材料
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MOCVD growth of a-plane InN films on r-Al2O3 with different buffer layers
期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 319, 期号: 1, 页码: 114-117
作者:
Jia CH
;
Song HP
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浏览/下载:121/2
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提交时间:2011/07/05
Anisotropy
Crystal morphology
Metalorganic chemical vapor deposition
a-Plane InN
INDIUM NITRIDE
MOVPE GROWTH
CUBIC INN
SAPPHIRE
GAN
MBE
Measurement of polar C-plane and nonpolar A-plane InN/ZnO heterojunctions band offsets by x-ray photoelectron spectroscopy
期刊论文
applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 16, 页码: art. no. 163301
作者:
Jin P
;
Wei HY
;
Song HP
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浏览/下载:313/47
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提交时间:2010/03/08
conduction bands
III-V semiconductors
II-VI semiconductors
indium compounds
interface states
polarisation
semiconductor heterojunctions
valence bands
wide band gap semiconductors
X-ray photoelectron spectra
zinc compounds
Determination of wurtzite InN/cubic In2O3 heterojunction band offset by x-ray photoelectron spectroscopy
期刊论文
applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 22, 页码: art. no. 222114
作者:
Song HP
;
Wei HY
;
Zhang B
收藏
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浏览/下载:199/0
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提交时间:2010/03/08
conduction bands
III-V semiconductors
indium compounds
semiconductor heterojunctions
semiconductor materials
valence bands
X-ray photoelectron spectra
Characterization of free-standing GaN substrate grown through hydride vapor phase epitaxy with a TiN interlayer
期刊论文
applied surface science, 2007, 卷号: 253, 期号: 18, 页码: 7423-7428
作者:
Duan RF
;
Wei TB
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浏览/下载:30/0
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提交时间:2010/03/29
GaN
Effect of substrate temperature on the growth and photoluminescence properties of vertically aligned ZnO nanostructures
期刊论文
journal of crystal growth, 2006, 卷号: 292, 期号: 1, 页码: 19-25
Li C (Li Chun)
;
Fang GJ (Fang Guojia)
;
Fu Q (Fu Qiang)
;
Su FH (Su Fuhai)
;
Li GH (Li Guohua)
;
Wu XG (Wu Xiaoguang)
;
Zhao XZ (Zhao Xingzhong)
收藏
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2010/04/11
nanostructure
vapor phase transport
ZnO
semiconductor materials
PHYSICAL VAPOR-DEPOSITION
OPTICAL-PROPERTIES
THERMAL EVAPORATION
FIELD-EMISSION
NANOWIRES
NANORODS
MECHANISM
ARRAYS
Growth and characterization of GaN on LiGaO2
会议论文
9th international conference on metalorganic vpour phase epitaxy (icmovpe-ix), la jolla, california, may 31-jun 04, 1998
作者:
Han PD
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2010/11/15
DIODES
Growth and characterization of GaN on LiGaO2
期刊论文
journal of crystal growth, 1998, 卷号: 195, 期号: 1-4, 页码: 304-308
作者:
Han PD
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浏览/下载:33/0
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提交时间:2010/08/12
MOVPE
GaN
substrate
DIODES
Growth and characterization of GaN on LiGaO2 and LiAlO2
会议论文
2nd international symposium on blue laser and light emitting diodes (2nd isblled), chiba, japan, sep 29-oct 02, 1998
作者:
Han PD
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2010/10/29
DIODES
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