×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
半导体研究所 [1]
内容类型
期刊论文 [1]
发表日期
1998 [1]
学科主题
半导体材料 [1]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共1条,第1-1条
帮助
限定条件
学科主题:半导体材料
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
The growth of an AlGaN/GaN modulation-doped heterostructure by NH3 source molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 1998, 卷号: 192, 期号: 1-2, 页码: 93-96
Zhang JP
;
Sun DZ
;
Li XB
;
Wang XL
;
Fu RH
;
Kong MY
收藏
  |  
浏览/下载:29/0
  |  
提交时间:2010/08/12
GaN
2DEG
MD heterostructure
MBE
photoluminescence
GAN
LUMINESCENCE
PLASMA
GALLIUM NITRIDE
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace