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半导体研究所 [27]
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半导体材料 [27]
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学科主题:半导体材料
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P型GaN材料生长及性能表征
学位论文
硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
liushuangtao
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2017/06/02
MOCVD
p-GaN
退火
Mg受主激活
II-VI族叠层太阳电池结构设计与材料工艺研究
学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2014
张理嫩
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浏览/下载:52/0
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提交时间:2014/06/04
II-VI族半导体
分子束外延
离子注入
计算模拟
p型掺杂
GaN基发光二极管外延中p型AlGaN电子阻挡层的优化生长
期刊论文
物理学报, 2011, 卷号: 60, 期号: 1, 页码: 016108-1-016108-6
作者:
王兵
;
李志聪
;
梁萌
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浏览/下载:70/0
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提交时间:2011/08/16
Ag生长温度对Ag/ZnO肖特基接触特性的影响
期刊论文
中国科学. E辑,技术科学, 2009, 卷号: 39, 期号: 7, 页码: 1269-1274
作者:
李新坤
;
梁德春
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2010/11/23
掺Sb的ZnO单晶的缺陷和性质研究
期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 10, 页码: 1988-1991
作者:
张瑞
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2010/11/23
微量掺碳ne-SiC:H薄膜用于p-i-n太阳电池的窗口层
期刊论文
物理学报, 2007, 卷号: 56, 期号: 5, 页码: 2915-2919
许颖
;
刁宏伟
;
张世斌
;
励旭东
;
曾湘波
;
王文静
;
廖显伯
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2010/11/23
Temperature dependence of surface quantum dots grown under frequent growth interruption
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2006, 卷号: 33, 期号: 1, 页码: 207-210
作者:
Jin P
;
Xu B
收藏
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浏览/下载:36/0
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提交时间:2010/04/11
growth interruption
in segregation
surface oxide
molecular beam epitaxy
quantum dots
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GAAS
PHOTOLUMINESCENCE
LAYER
SHAPE
SIZE
高电导本征纳米硅膜及其缓冲层太阳能电池
期刊论文
电子元件与材料, 2006, 卷号: 25, 期号: 4, 页码: 47-49
崔敏
;
张维佳
;
钟立志
;
吴小文
;
王天民
;
李国华
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2010/11/23
纳米半导体技术
专著
北京:化学工业出版社, 北京, 2006
作者:
叶小玲
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浏览/下载:347/0
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提交时间:2009/09/19
高质量InAs单晶材料的制备及其性质
期刊论文
半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 8, 页码: 1391-1395
赵有文
;
孙文荣
;
段满龙
;
董志远
;
杨子祥
;
吕旭如
;
王应利
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2010/11/23
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