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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Optimized growth of p-type AlGaN electron blocking layer in the GaN-based LED 期刊论文 acta physica sinica, 2011, 卷号: 60, 期号: 1, 页码: article no.16108 Wang B; Li ZC; Yao R; Liang M; Yan FW; Wang GH 收藏  |  浏览/下载：93/5  |  提交时间：2011/07/05 GaN-based  LED  Al composition  electron blocking layer  TEMPERATURE  ALLOYS  MOVPE   Enhancement of the light output power of InGaN/GaN light-emitting diodes grown on pyramidal patterned sapphire substrates in the micro- and nanoscale 期刊论文 journal of applied physics, 2008, 卷号: 103, 期号: 1, 页码: art. no. 014314 Gao, HY; Yan, FW; Zhang, Y; Li, JM; Zeng, YP; Wang, GH 收藏  |  浏览/下载：75/3  |  提交时间：2010/03/08 GAN-BASED LEDS  EFFICIENCY  FABRICATION  IMPROVEMENT  OVERGROWTH   Improvement of the performance of GaN-based LEDs grown on sapphire substrates patterned by wet and ICP etching 期刊论文 solid-state electronics, 2008, 卷号: 52, 期号: 6, 页码: 962-967 Gao, HY; Yan, FW; Zhang, Y; Li, JM; Zeng, YP; Wang, GH 收藏  |  浏览/下载：58/4  |  提交时间：2010/03/08 InGaN/GaN multiple quantum wells  light-emitting diode  wet etching  inductively coupled plasma etching   Realization of quantum cascade laser operating at room temperature 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 250, 期号: 3-4, 页码: 285-289 作者:  Jin P;  Li CM 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2010/08/12 crystal structure  lattice-mismatch  microsctucture  radiation  X-ray diffraction  molecular beam epitaxy  infrared devices  quantum cascade laser  MU-M   Hydrogenated amorphous silicon films with significantly improved stability 期刊论文 solar energy materials and solar cells, 2001, 卷号: 68, 期号: 1, 页码: 123-133 Sheng SR; Liao XB; Ma ZX; Yue GZ; Wang YQ; Kong GL 收藏  |  浏览/下载：50/0  |  提交时间：2010/08/12 amorphous silicon  stability  A-SI-H  CONSTANT PHOTOCURRENT METHOD  PERSISTENT PHOTOCONDUCTIVITY  URBACH EDGE  SOLAR-CELLS  GAP STATES  ABSORPTION  DENSITY  SPECTROSCOPY  INCREASE   Strain-compensated quantum cascade lasers operating at room temperature 期刊论文 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 220, 期号: 4, 页码: 439-443 作者:  Jiang DS;  Wang ZG;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2010/08/12 quantum cascade laser  strain-compensation  molecular beam epitaxy  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  MU-M  PERFORMANCE