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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 The effect of different oriented sapphire substrates on the growth of polar and non-polar ZnMgO by MOCVD 期刊论文 journal of crystal growth, 2011, 卷号: 314, 期号: 1, 页码: 39-42 作者:  Song HP;  Shi K;  Sang L;  Wei HY 收藏  |  浏览/下载：58/3  |  提交时间：2011/07/05 Metal organic chemical vapor deposition  Sapphire  Zinc compounds  Semiconducting II-VI materials  VAPOR-PHASE EPITAXY  OPTICAL-PROPERTIES  ZNO NANORODS  RAMAN-SCATTERING  M-PLANE  FILMS  PHOTOLUMINESCENCE  DEPOSITION  NANOWIRES  FIELDS   Electrodepostied polyaniline films decorated with nano-islands: Characterization and application as anode buffer layers in solar cells 期刊论文 solar energy materials and solar cells, 2011, 卷号: 95, 期号: 2, 页码: 440-445 作者:  Liu K;  Tan FR 收藏  |  浏览/下载：120/5  |  提交时间：2011/07/05 Polyaniline  Electrodeposition  Thin films  Buffer layers  Solar cells  PHOTOVOLTAIC CELLS  POLYMER  NANOWIRES  EFFICIENCY   Well-aligned Zn-doped tilted InN nanorods grown on r-plane sapphire by MOCVD 期刊论文 nanotechnology, 2011, 卷号: 22, 期号: 23, 页码: article no.235603 作者:  Song HP 收藏  |  浏览/下载：72/3  |  提交时间：2011/07/05 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  SEMICONDUCTOR NANOWIRES  NITRIDE NANOTUBES  GAN  EMISSION  MECHANISM   IN-PLANE OPTICAL ANISOTROPY OF STRAINED WURTZITE GaN IN THE A- AND R-PLANES 期刊论文 international journal of modern physics b, 2010, 卷号: 24, 期号: 27, 页码: 5439-5450 作者:  Hao GD 收藏  |  浏览/下载：49/5  |  提交时间：2011/07/05 Strain effect  optical anisotropy  A-plane  R-plane  CONTINUOUS-WAVE OPERATION  LIGHT-EMITTING-DIODES  LASER-DIODES  POLARIZATION ANISOTROPY  QUANTUM-WELLS  SEMICONDUCTORS   Optimizing the GaAs capping layer growth of 1.3 mu m InAs/GaAs quantum dots by a combined two-temperature and annealing process at low temperatures 期刊论文 journal of crystal growth, 2008, 卷号: 310, 期号: 24, 页码: 5469-5472 作者:  Yang T 收藏  |  浏览/下载：253/54  |  提交时间：2010/03/08 Metalorganic chemical vapor deposition  Quantum dots  InAs  GaAs  Laser diodes   Wafer bonding technique used for the integration of cubic GaN/GaAs (001) with Si substrate 期刊论文 science in china series e-technological sciences, 2002, 卷号: 45, 期号: 3, 页码: 255-260 作者:  Zhang SM;  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：88/5  |  提交时间：2010/08/12 wafer bonding  cubic  GaN/GaAs(001)  Si-substrate  LIGHT-EMITTING-DIODES  P-TYPE GAN  RESISTANCE  CONTACT  LASER   Epitaxial lateral overgrowth of cubic GaN by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 225, 期号: 1, 页码: 45-49 作者:  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：132/40  |  提交时间：2010/08/12 photoluminescence  SEM  epitaxial lateral overgrowth  metalorganic chemical vapor deposition  cubic GaN  PHASE EPITAXY  SELECTIVE GROWTH  LASER-DIODES  LAYERS