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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Optimized growth of p-type AlGaN electron blocking layer in the GaN-based LED 期刊论文 acta physica sinica, 2011, 卷号: 60, 期号: 1, 页码: article no.16108 Wang B; Li ZC; Yao R; Liang M; Yan FW; Wang GH 收藏  |  浏览/下载：93/5  |  提交时间：2011/07/05 GaN-based  LED  Al composition  electron blocking layer  TEMPERATURE  ALLOYS  MOVPE   Recent research results on deep level defects in semi-insulating InP - Application to improve material quality 会议论文 12th international conference on indium phosphide and related materials, princeton, nj, may 07-11, 2006 Zhao, YW (Zhao, Youwen); Dong, ZY (Dong, Zhiyuan); Dong, HW (Dong, Hongwei); Sun, NF (Sun, Niefeng); Sun, TN (Sun, Tongnian) 收藏  |  浏览/下载：61/12  |  提交时间：2010/03/29 STIMULATED CURRENT SPECTROSCOPY  CURRENT TRANSIENT SPECTROSCOPY  FE-DOPED INP  POINT-DEFECTS  COMPENSATION  TEMPERATURE  DONORS  TRAPS