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科研机构
半导体研究所 [3]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2011 [1]
2010 [1]
2009 [1]
学科主题
半导体材料 [3]
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学科主题:半导体材料
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Defect properties of as-grown and electron-irradiated Te-doped GaSb studied by positron annihilation
期刊论文
semiconductor science and technology, 2011, 卷号: 26, 期号: 7, 页码: article no.75016
Li H
;
Zhou K
;
Pang JB
;
Shao YD
;
Wang Z
;
Zhao YW
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浏览/下载:53/10
  |  
提交时间:2011/07/05
UNDOPED GALLIUM ANTIMONIDE
SELF-DIFFUSION
NATIVE DEFECTS
N-TYPE
CRYSTALS
CATHODOLUMINESCENCE
PHOTOLUMINESCENCE
SEMICONDUCTORS
SPECTROSCOPY
LUMINESCENCE
Origin of flat-band voltage sharp roll-off in metal gate/high-k/ultrathin- SiO2/Si p-channel metal-oxide-semiconductor stacks
期刊论文
applied physics letters, 2010, 卷号: 97, 期号: 13, 页码: art. no. 132908
Zheng XH (Zheng X. H.)
;
Huang AP (Huang A. P.)
;
Xiao ZS (Xiao Z. S.)
;
Yang ZC (Yang Z. C.)
;
Wang M (Wang M.)
;
Zhang XW (Zhang X. W.)
;
Wang WW (Wang W. W.)
;
Chu PK (Chu Paul K.)
收藏
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2010/11/14
OXYGEN
GATE
DIFFUSION
FILMS
Annealing study of carrier concentration in gradient-doped GaAs/GaAlAs epilayers grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
applied optics, 2009, 卷号: 48, 期号: 9, 页码: 1715-1720
Zhang YJ
;
Chang BK
;
Yang Z
;
Niu J
;
Xiong YJ
;
Shi F
;
Guo H
;
Zeng YP
收藏
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浏览/下载:69/25
  |  
提交时间:2010/03/08
GAAS PHOTOCATHODES
GALLIUM-ARSENIDE
ALXGA1-XAS
DIFFUSION
SURFACE
ENERGY
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