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科研机构
半导体研究所 [3]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2006 [1]
2005 [1]
2004 [1]
学科主题
半导体材料 [3]
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学科主题:半导体材料
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Crack control in GaN grown on silicon (111) using In doped low-temperature AlGaN interlayer by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
optical materials, 2006, 卷号: 28, 期号: 10, 页码: 1227-1231
Wu JJ (Wu Jiejun)
;
Han XX (Han Xiuxun)
;
Li JM (Li Jiemin)
;
Wei HY (Wei Hongyuan)
;
Cong GW (Cong Guangwei)
;
Liu XL (Liu Xianglin)
;
Zhu QS (Zhu Qinsheng)
;
Wang ZG (Wang Zhanguo)
;
Jia QJ (Jia Quanjie)
;
Guo LP (Guo Liping)
;
Hu TD (Hu Tiandou)
;
Wang HH (Wang Huanhua)
收藏
  |  
浏览/下载:49/0
  |  
提交时间:2010/04/11
in doping
cracks
Si(111) substrate
LT-AlGaN interlayer
metalorganic chemical vapor deposition
GaN
PHASE EPITAXY
INDIUM-SURFACTANT
OPTICAL-PROPERTIES
SI(111)
STRESS
FILMS
Crack-free GaN/Si(111) epitaxial layers grown with InAlGaN alloy as compliant interlayer by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
journal of crystal growth, 2005, 卷号: 279, 期号: 3-4, 页码: 335-340
作者:
Li DB
;
Wei HY
;
Han XX
收藏
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浏览/下载:59/22
  |  
提交时间:2010/03/17
cracks
Crack-free InAlGaN quaternary alloy films grown on Si(111) substrate by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
journal of crystal growth, 2004, 卷号: 273, 期号: 1-2, 页码: 79-85
Wu, JJ
;
Li, DB
;
Lu, Y
;
Han, XX
;
Li, JM
;
Wei, HY
;
Kang, TT
;
Wang, XH
;
Liu, XL
;
Zhu, QS
;
Wang, ZG
收藏
  |  
浏览/下载:77/0
  |  
提交时间:2010/03/17
cracks
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