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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Effects of rapid thermal annealing on self-assembled InGaAs/GaAs quantum dots superlattice 期刊论文 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 208, 期号: 1-4, 页码: 791-794 Zhuang QD; Li JM; Wang XX; Zeng YP; Wang YT; Wang BQ; Pan L; Wu J; Kong MY; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：56/0  |  提交时间：2010/08/12 InGaAs/GaAs  quantum dots  superlattice  annealing  X-ray  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  INFRARED PHOTODETECTORS  STRAIN RELAXATION  LUMINESCENCE  HETEROSTRUCTURES  DEPENDENCE  ABSORPTION  THRESHOLD  OPERATION  ISLANDS   Formation of InAs quantum dots on low-temperature GaAs epi-layer 期刊论文 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 218, 期号: 2-4, 页码: 209-213 Wang XD; Niu ZC; Wang H; Feng SL 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2010/08/12 quantum dot  low-temperature GaAs  As precipitates  annealing  TEM  PL  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  ISLANDS  GROWTH  SURFACES   Temperature dependence of electron redistribution in modulation-doped InAs/GaAs quantum dots 期刊论文 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 219, 期号: 3, 页码: 199-204 作者:  Xu B;  Ye XL 收藏  |  浏览/下载：55/0  |  提交时间：2010/08/12 quantum dots  InAs/GaAs  MBE  photoluminescence  absorption  OPTICAL-PROPERTIES  PHOTOLUMINESCENCE  SPECTROSCOPY  INGAAS  LASER   Annealing behavior of InAs/GaAs quantum dot structures 期刊论文 journal of electronic materials, 1998, 卷号: 27, 期号: 2, 页码: 59-61 Wang ZM; Feng SL; Lu ZD; Zhao Q; Yang XP; Chen ZG; Xu ZY; Zheng HZ 收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2010/08/12 annealing  InAs/GaAs  quantum dots  BOX ISLANDS  GAAS  INTERDIFFUSION  GAAS(100)  GROWTH  THRESHOLD  INGAAS  STRAIN  SCALE  OPTICAL-PROPERTIES