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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Room-temperature spin photocurrent spectra at interband excitation and comparison with reflectance-difference spectroscopy in InGaAs/AlGaAs quantum wells 期刊论文 journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 5, 页码: article no.53519 Yu JL; Chen YH; Jiang CY; Liu Y; Ma H 收藏  |  浏览/下载：39/4  |  提交时间：2011/07/05 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  INVERSION ASYMMETRY  HETEROSTRUCTURES  SEGREGATION  INTERFACE   Influence of dislocation stress field on distribution of quantum dots 期刊论文 physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2006, 卷号: 33, 期号: 1, 页码: 130-133 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：56/0  |  提交时间：2010/04/11 stress  surface structure  semiconducting III-V materials  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  STRAIN  THICKNESS   Effect on the optical properties and surface morphology of cubic GaN grown by metalorganic chemical vapor deposition using isoelectronic indium surfactant doping 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 235, 期号: 1-4, 页码: 207-211 作者:  Zhang SM 收藏  |  浏览/下载：94/4  |  提交时间：2010/08/12 crystal morphology  doping  surface structure  metalorgamc chemical vapor deposition  nitrides  semiconducting III-V materials  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  PHASE EPITAXY  FILMS  CATHODOLUMINESCENCE   Influence of substrate orientation on In0.5Ga0.5As/GaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy 会议论文 50th iumrs international conference on advanced materials, beijing, peoples r china, jun 13-18, 1999 作者:  Xu B;  Ye XL 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/15 quantum dots  high index  molecular beam epitaxy  photoluminescence  SURFACE SEGREGATION  ORIENTED GAAS  INGAAS  ISLANDS  WELLS  DISKS   Ge composition saturation behavior during low-temperature Si1-xGex growth by disilane and solid Ge molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 1997, 卷号: 181, 期号: 4, 页码: 441-445 Liu JP; Liu XF; Li JP; Sun DZ; Kong MY 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2010/11/17 Si1-xGex alloys  low-temperature epitaxy  composition dependence  growth kinetics  GAS-SOURCE MBE  SI2H6  SEGREGATION  DEPENDENCE  KINETICS  FILMS