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科研机构
半导体研究所 [14]
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期刊论文 [14]
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2011 [1]
2007 [1]
2006 [1]
2005 [1]
2004 [2]
2003 [3]
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学科主题
半导体材料 [14]
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学科主题:半导体材料
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MOCVD growth of a-plane InN films on r-Al2O3 with different buffer layers
期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 319, 期号: 1, 页码: 114-117
作者:
Jia CH
;
Song HP
收藏
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浏览/下载:119/2
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提交时间:2011/07/05
Anisotropy
Crystal morphology
Metalorganic chemical vapor deposition
a-Plane InN
INDIUM NITRIDE
MOVPE GROWTH
CUBIC INN
SAPPHIRE
GAN
MBE
InAs0.3Sb0.7 films grown on (100) GaSb substrates with a buffer layer by liquid-phase epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 2007, 卷号: 304, 期号: 2, 页码: 472-475
Gao FB (Gao Fubao)
;
Chen NF (Chen NuoFu)
;
Liu L (Liu Lei)
;
Zhang XW (Zhang X. W.)
;
Wu JL (Wu Jinliang)
;
Yin ZG (Yin Zhigang)
收藏
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浏览/下载:37/0
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提交时间:2010/03/29
crystal structure
Fabrication and properties of Sb-doped ZnO thin films grown by radio frequency (RF) magnetron sputtering
期刊论文
journal of crystal growth, 2006, 卷号: 290, 期号: 1, 页码: 56-60
作者:
Yin ZG
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浏览/下载:55/0
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提交时间:2010/04/11
crystal structure
thermal annealing
X-ray diffraction
RF magnetron sputtering
zinc oxide
semiconducting II-VI materials
P-TYPE ZNO
SPRAY-PYROLYSIS
ZINC-OXIDE
Magnetron sputtering growth of InAs0.3Sb0.7 films on (100) GaAs substrates: Strong effect of growth conditions on film structure
期刊论文
journal of crystal growth, 2005, 卷号: 285, 期号: 4, 页码: 459-465
作者:
Yin ZG
收藏
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浏览/下载:304/5
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提交时间:2010/04/11
crystal structure
magnetron sputtering
semiconducting III-V materials
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
INAS1-XSBX
ALLOYS
INASSB
INSB
Preparation and characterization of Si sheets by renewed SSP technique
期刊论文
journal of crystal growth, 2004, 卷号: 270, 期号: 3-4, 页码: 446-454
Ai B
;
Shen H
;
Ban Q
;
Wang XJ
;
Liang ZC
;
Liao XB
收藏
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浏览/下载:224/46
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提交时间:2010/03/09
crystal structure
Liquid phase epitaxy of Al0.3Ga0.7As islands
期刊论文
journal of crystal growth, 2004, 卷号: 270, 期号: 1-2, 页码: 38-41
Sun, J
;
Hu, LZ
;
Sun, YC
;
Wang, ZY
;
Zhang, HZ
收藏
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浏览/下载:425/56
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提交时间:2010/03/09
crystal morphology
Effects of the crystal structure on electrical and optical properties of pyrite FeS2 films prepared by thermally sulfurizing iron films
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 253, 期号: 1-4, 页码: 230-238
Wan DY
;
Wang YT
;
Wang BY
;
Ma CX
;
Sun H
;
Wei L
收藏
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浏览/下载:34/0
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提交时间:2010/08/12
crystal structure
sulfidation of iron films
iron pyrite films
semiconducting materials
solar cells
THIN-FILMS
ELECTRODEPOSITION
ATMOSPHERE
PRESSURE
Structural and photoluminescent properties of ternary Zn1-xCdxO crystal films grown on Si(111) substrates
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 256, 期号: 1-2, 页码: 78-82
Ye ZZ
;
Ma DW
;
He JH
;
Huang JY
;
Zhao BH
;
Luo XD
;
Xu ZY
收藏
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浏览/下载:488/1
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提交时间:2010/08/12
characterization
crystal structure
DC sputtering
alloys
zinc compounds
semiconducting II-VI materials
THIN-FILMS
ROOM-TEMPERATURE
ULTRAVIOLET-LASER
SPRAY-PYROLYSIS
ZNO
MGXZN1-XO
EMISSION
ALLOY
Realization of quantum cascade laser operating at room temperature
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 250, 期号: 3-4, 页码: 285-289
作者:
Jin P
;
Li CM
收藏
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浏览/下载:36/0
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提交时间:2010/08/12
crystal structure
lattice-mismatch
microsctucture
radiation
X-ray diffraction
molecular beam epitaxy
infrared devices
quantum cascade laser
MU-M
A geometrical model of GaN morphology in initial growth stage
期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 234, 期号: 1, 页码: 115-120
作者:
Han PD
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浏览/下载:80/8
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提交时间:2010/08/12
computer simulation
crystal morphology
atomic force microscopy
nitrides
AIN BUFFER LAYER
SAPPHIRE
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