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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Single Neutral Excitons Confined in AsBr3 In Situ Etched In GaAs Quantum Rings 期刊论文 journal of nanoelectronics and optoelectronics, 2011, 卷号: 6, 期号: 1, 页码: 51-57 Ding F; Li B; Akopian N; Perinetti U; Chen YH; Peeters FM; Rastelli A; Zwiller V; Schmidt OG 收藏  |  浏览/下载：74/5  |  提交时间：2011/07/05 Quantum Ring  Quantum Dot  Neutral Exciton  Aharonov Bohm Effect  Gate Controlled  Selective Etching  ENERGY-SPECTRA   Electric-tunable magneto resistance effect in a two-dimensional electron gas modulated by hybrid magnetic-electric barrier nanostructure 期刊论文 physics letters a, 2009, 卷号: 373, 期号: 22, 页码: 1983-1987 作者:  Zhang XW;  Wang Y;  Yin ZG 收藏  |  浏览/下载：127/57  |  提交时间：2010/03/08 Magnetic-electric barrier  Ballistic transport  Magnetoresistance   Zn-doped InGaAs Base Heterojunction Bipolar Transistors Grown by Low Pressure Metal Organic Chemical Vapor Deposition 期刊论文 semiconductor photonics and technology, 2007, 卷号: 13, 期号: 3, 页码: 215-217 LIN Tao; CAI Daomin; LI Xianjie; JIANG Li; ZHANG Guangze 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/11/23 Space-grown SI-GaAs and its application 会议论文 12th international semicoducting and insulating materials conference (simc-xii2002), smolenice, slovakia, jun 30-jul 05, 2002 Chen NF; Zhong XG; Zhang M; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2010/10/29 SEMIINSULATING GALLIUM-ARSENIDE  FLOATING-ZONE GROWTH  CRYSTAL-GROWTH  ZERO GRAVITY  MICROGRAVITY  SEGREGATION  STOICHIOMETRY  SILICON  DEFECTS  INSB   Defects and morphologies in In0.8Ga0.2As/InAlAs/InP(001) for high electron-mobility transistors 期刊论文 defects and diffusion in semiconductors, 2000, 卷号: 183-1, 期号: 0, 页码: 147-152 Wu J; Lin F 收藏  |  浏览/下载：54/0  |  提交时间：2010/08/12 In0.8Ga0.2As/InAlAs/InP  misfit dislocations  surface morphology  GROWTH  RELAXATION  SUBSTRATE  CIRCUITS