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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Improvement of amorphous silicon n-i-p solar cells by incorporating double-layer hydrogenated nanocrystalline silicon structure 期刊论文 journal of non-crystalline solids, 2011, 卷号: 357, 期号: 1, 页码: 121-125 作者:  Wang C 收藏  |  浏览/下载：69/3  |  提交时间：2011/07/05 Hydrogenated nanocrystalline silicon  Buffer layer  i/p interface  Solar cells  OPEN-CIRCUIT VOLTAGE  A-SI-H  P/I-INTERFACE  MICROCRYSTALLINE SILICON  VAPOR-DEPOSITION  FILMS  CAPACITANCE  EFFICIENCY  CRYSTALLINE  TEMPERATURE   Growth and characterization of semi-insulating GaN films grown by MOCVD 期刊论文 journal of rare earths, 2006, 卷号: 24, 期号: sp.iss.si, 页码: 14-18 Fang CB; Wang XL; Hu GX; Wang JX; Wang CM; Li JM 收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2010/04/11 MOCVD  GaN  resistivity  TSC  N-TYPE GAN  DOPED GAN  SPECTROSCOPY  CARBON  FE   Epitaxial growth of GaNAs/GaAs heterostructure materials 会议论文 1st asian conference on chemical vapour deposition, shanghai, peoples r china, may 10-13, 1999 Lin YW; Pan Z; Li LH; Zhou ZQ; Wang H; Zhang W 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/15 GaNAs  DC active N-2 plasma  molecular beam epitaxy  nitrogen content  Fourier transform infrared spectroscopy of intensity  BAND-GAP ENERGY  GAAS1-XNX  NITROGEN   Improvement of thin silicon on sapphire (SOS) film materials and device performances by solid phase epitaxy 期刊论文 materials science and engineering b-solid state materials for advanced technology, 2000, 卷号: 72, 期号: 2-3, 页码: 189-192 作者:  Yu F 收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2010/08/12 solid phase epitaxy  silicon on sapphire (SOS)  carrier mobility   Improvement of thin silicon on sapphire (SOS) film materials and device performances by solid phase epitaxy 会议论文 international conference on advanced materials: sympopsium m - silicon-based materials and devices, beijing, peoples r china, jun 13-18, 1999 作者:  Yu F 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2010/11/15 solid phase epitaxy  silicon on sapphire (SOS)  carrier mobility   Epitaxial growth of GaNAs/GaAs heterostructure materials 期刊论文 thin solid films, 2000, 卷号: 368, 期号: 2, 页码: 249-252 Lin YW; Pan Z; Li LH; Zhou ZQ; Wang H; Zhang W 收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2010/08/12 GaNAs  DC active N-2 plasma  molecular beam epitaxy  nitrogen content  Fourier transform infrared spectroscopy of intensity  BAND-GAP ENERGY  GAAS1-XNX  NITROGEN