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科研机构
半导体研究所 [4]
内容类型
期刊论文 [4]
发表日期
2011 [1]
2006 [1]
2001 [1]
2000 [1]
学科主题
半导体材料 [4]
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学科主题:半导体材料
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Anomalous Temperature Dependence of Photoluminescence in InAs/InAlGaAs/InP Quantum Wire and Dot Hybrid Nanostructures
期刊论文
chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 2, 页码: article no.27801
作者:
Xu B
收藏
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浏览/下载:54/3
  |  
提交时间:2011/07/05
CONTINUOUS-WAVE OPERATION
EMISSION
LASERS
WAVELENGTH
EXCITONS
ENERGY
Electron resonant tunneling through InAs/GaAs quantum dots embedded in a Schottky diode with an AlAs insertion layer
期刊论文
journal of the electrochemical society, 2006, 卷号: 153, 期号: 7, 页码: g703-g706
作者:
Ye XL
;
Xu B
;
Jin P
收藏
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浏览/下载:92/0
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提交时间:2010/04/11
GAAS
SPECTROSCOPY
PARAMETERS
TRANSPORT
LASERS
ENERGY
STATES
HOLE
Effect of InxGa1-xAs (0 <= x <= 0.4) capping layer on self-assembled 1.3 mu m wavelength InAs/GaAs quantum islands
期刊论文
journal of crystal growth, 2001, 卷号: 223, 期号: 3, 页码: 363-368
Wang XD
;
Niu ZC
;
Feng SL
;
Miao ZH
收藏
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浏览/下载:95/3
  |  
提交时间:2010/08/12
atomic force microscopy
low dimensional structures
optical microscopy
molecular beam epitaxy
nanomaterials
semiconducting III-V materials
laser diodes
TEMPERATURE-DEPENDENCE
M PHOTOLUMINESCENCE
INGAAS OVERGROWTH
GAAS
DOTS
EMISSION
ENERGY
LASER
Effect of In-mole-fraction in InGaAs overgrowth layer on self-assembled InAs/GaAs quantum dots
期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 213, 期号: 1-2, 页码: 193-197
作者:
Xu B
收藏
  |  
浏览/下载:51/0
  |  
提交时间:2010/08/12
quantum dots
InGaAs overgrowth layer
photoluminescence
molecular beam epitaxy
1.3 MU-M
ROOM-TEMPERATURE
PHOTOLUMINESCENCE LINEWIDTH
EMISSION
LASERS
ENERGY
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