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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Temperature Compensation for Threshold Current and Slope Efficiency of 1.3 mu m InAs/GaAs Quantum-Dot Lasers by Facet Coating Design 期刊论文 chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: article no.44201 作者:  Cao YL;  Yang T 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2011/07/05 WELL LASERS  DEPENDENCE  DIODE  GAIN   Depth distribution of the strain in the GaN layer with low-temperature AlN interlayer on Si(111) substrate studied by Rutherford backscattering/channeling 期刊论文 applied physics letters, 2004, 卷号: 85, 期号: 23, 页码: 5562-5564 Lu, Y; Cong, GW; Liu, XL; Lu, DC; Wang, ZG; Wu, MF 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2010/03/17 STRESS   RADIATIVE RECOMBINATION IN N-TYPE AND P-TYPE GAAS COMPENSATED WITH LI 期刊论文 journal of applied physics, 1993, 卷号: 74, 期号: 12, 页码: 7275-7287 GISLASON HP; YANG BH; PETURSSON J; LINNARSSON M 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/11/15 IMPLANTED GAAS  EMISSION   INDIUM OHMIC CONTACTS TO N-ZNSE 期刊论文 vacuum, 1992, 卷号: 43, 期号: 11, 页码: 1149-1151 WANG YX; HOLLOWAY PH 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/15