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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Epitaxial SiC grown on silicon-on-insulator substrate with ultra-thin silicon-over-layer 期刊论文 thin solid films, 2005, 卷号: 484, 期号: 1-2, 页码: 261-264 Huang FY; Wang XF; Sun GS; Zhao WS; Zeng YP; Bian EL 收藏  |  浏览/下载：39/13  |  提交时间：2010/03/17 silicon carbide   Indium doping effect on GaN in the initial growth stage 期刊论文 journal of electronic materials, 2001, 卷号: 30, 期号: 8, 页码: 977-979 作者:  Han PD 收藏  |  浏览/下载：156/29  |  提交时间：2010/08/12 GaN  indium doping  initial growth stage  morphology  optical transmission  photoluminescence  VAPOR-PHASE EPITAXY  BUFFER LAYER  FILMS  SAPPHIRE  DEPOSITION