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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Growth of ZnO single crystal by chemical vapor transport method 期刊论文 journal of rare earths, 2006, 卷号: 24, 期号: sp.iss.si, 页码: 40275 作者:  Wei XC 收藏  |  浏览/下载：60/0  |  提交时间：2010/04/11 zinc oxide  chemical vapor transport  single crystal growth  HYDROTHERMAL METHOD  BULK ZNO  IMPURITIES  DEVICES   Influence of phosphine flow rate on Si growth rate in gas source molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 220, 期号: 4, 页码: 461-465 Gao F; Huang DD; Li JP; Lin YX; Kong MY; Sun DZ; Li JM; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2010/08/12 Si growth rate  P doping  PH3 flow rate  P segregation  GSMBE  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  SI1-XGEX  PHOSPHORUS  SI2H6  DISILANE  SI(100)  MBE   Semi-insulating GaAs grown in outer space 期刊论文 materials science and engineering b-solid state materials for advanced technology, 2000, 卷号: 75, 期号: 2-3, 页码: 134-138 Chen NF; Zhong XR; Lin LY; Xie X; Zhang M 收藏  |  浏览/下载：54/0  |  提交时间：2010/08/12 GaAs  outer space  microgravity  integrated circuit  SEMIINSULATING GALLIUM-ARSENIDE  LEC-GAAS  DEFECTS  STOICHIOMETRY  SEGREGATION  CARBON  BORON   Semi-insulating GaAs grown in outer space 会议论文 iumrs international conference of advanced materials, beijing, peoples r china, jun 13-18, 1999 Chen NF; Zhong XR; Lin LY; Xie X; Zhang M 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2010/11/15 GaAs  outer space  microgravity  integrated circuit  SEMIINSULATING GALLIUM-ARSENIDE  LEC-GAAS  DEFECTS  STOICHIOMETRY  SEGREGATION  CARBON  BORON