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科研机构
半导体研究所 [7]
内容类型
期刊论文 [7]
发表日期
2010 [1]
2009 [1]
2004 [1]
2003 [1]
2001 [1]
2000 [1]
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学科主题
半导体材料 [7]
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学科主题:半导体材料
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Raman scattering study of vibrational modes and hole concentration in GaxMn1-xSb
期刊论文
semiconductor science and technology, 2010, 卷号: 25, 期号: 9, 页码: art. no. 095010
Islam MR (Islam M. R.)
;
Hasan MM (Hasan M. M.)
;
Chen N (Chen N.)
;
Fukuzawa M (Fukuzawa M.)
;
Yamada M (Yamada M.)
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浏览/下载:261/25
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提交时间:2010/09/20
DILUTED MAGNETIC SEMICONDUCTORS
PHONON
FERROMAGNETISM
TEMPERATURE
GA1-XMNXAS
SPECTRA
STRAIN
LAYERS
GAAS
SPIN
Dielectric relaxation and giant dielectric constant of Nb-doped CaCu3Ti4O12 ceramics under dc bias voltage
期刊论文
physica status solidi a-applications and materials science, 2009, 卷号: 206, 期号: 3, 页码: 562-566
Liu P
;
He Y
;
Zhou JP
;
Mu CH
;
Zhang HW
收藏
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浏览/下载:158/21
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提交时间:2010/03/08
COPPER-TITANATE
GRAIN-BOUNDARY
BEHAVIOR
High Temperature Characteristics of 3C-SiC/Si Heterojunction Diodes Grown by LPCVD
期刊论文
半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 9, 页码: 1091-1096
Zhang Yongxing
;
Sun Guosheng
;
Wang Lei
;
Zhao Wanshun
;
Gao Xin
;
Zeng Yiping
;
Li Jinmin
;
Li Siyuan
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2010/11/23
Capacitance-voltage spectroscopy of In0.5Ga0.5As self-assembled quantum dots in double quantum wells under selective photo-excitation
期刊论文
semiconductor science and technology, 2003, 卷号: 18, 期号: 8, 页码: 760-762
Li GR
;
Zheng HZ
;
Yang FH
;
Hu CY
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浏览/下载:49/0
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提交时间:2010/08/12
PHOTOLUMINESCENCE
EMISSION
STATES
Competition between band gap and yellow luminescence in undoped GaN grown by MOVPE on sapphire substrate
期刊论文
journal of crystal growth, 2001, 卷号: 222, 期号: 1-2, 页码: 96-103
Xu HZ
;
Bell A
;
Wang ZG
;
Okada Y
;
Kawabe M
;
Harrison I
;
Foxon CT
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浏览/下载:54/0
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提交时间:2010/08/12
gallium nitride
metalorganic vapor-phase epitaxy
photoluminescence
yellow luminescence
N-TYPE GAN
PERSISTENT PHOTOCONDUCTIVITY
THIN-FILMS
DOPED GAN
DEEP LEVELS
ORIGIN
PHOTOLUMINESCENCE
DEPENDENCE
VACANCIES
EPITAXY
Electronic characteristics of InAs/GaAs self-assembled quantum dots by deep level transient spectroscopy
期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 208, 期号: 1-4, 页码: 107-112
Wang HL
;
Ning D
;
Zhu HJ
;
Chen F
;
Wang H
;
Wang XD
;
Feng SL
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浏览/下载:45/0
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提交时间:2010/08/12
self-assembled quantum dots
InAs/GaAs
DLTS
PL
activation energy
capture barrier
ENERGY-LEVELS
CARRIER RELAXATION
GROWTH
GIANT CAPACITANCE OSCILLATIONS RELATED TO THE QUANTUM CAPACITANCE IN GAAS ALAS SUPERLATTICES
期刊论文
applied physics letters, 1994, 卷号: 64, 期号: 25, 页码: 3416-3418
ZHANG YH
;
LI YX
;
JIANG DH
;
YANG XP
;
ZHANG PH
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2010/11/15
ELECTRIC-FIELD DOMAINS
TUNNELING STRUCTURES
SYSTEMS
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