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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 An internally-matched GaN HEMTs device with 45.2 W at 8 GHz for X-band application 期刊论文 solid-state electronics, 2009, 卷号: 53, 期号: 3, 页码: 332-335 作者:  Zhang ML;  Hou QF 收藏  |  浏览/下载：130/30  |  提交时间：2010/03/08 AlGaN/AlN/GaN  HEMT  MOCVD  SiC substrate  Power device   Al2O3 : Cr3+ nanotubes synthesized via homogenization precipitation followed by heat treatment 期刊论文 journal of physical chemistry b, 2006, 卷号: 110, 期号: 32, 页码: 15749-15754 Cheng BC (Cheng Baochang); Qu SC (Qu Shengchun); Zhou HY (Zhou Huiying); Wang ZG (Wang Zhanguo) 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2010/04/11 GALLIUM NITRIDE NANOTUBES  SINGLE-CRYSTALLINE  ALUMINA NANOTUBES  ALPHA-AL2O3 NANOWIRES  OXIDE NANOTUBES  ROUTE  FILMS  NANOSTRUCTURES  PHOTOLUMINESCENCE  TEMPERATURE