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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Effect of antimony irradiation on InAs/Sb:GaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy 期刊论文 semiconductor science and technology, 2011, 卷号: 26, 期号: 7, 页码: article no.75010 作者:  Yang T;  Yang XG;  Wang KF 收藏  |  浏览/下载：65/2  |  提交时间：2011/07/05 HIGH-DENSITY  TEMPERATURE-DEPENDENCE  SELF-FORMATION  LAYERS  WELL  MBE   Optimization of metamorphic InGaAs quantum wells on GaAs grown by molecular beam epitaxy 期刊论文 chinese physics letters, 2007, 卷号: 24, 期号: 12, 页码: 3543-3546 Wu, BP; Wu, DH; Ni, HQ; Huang, SS; Zhan, F; Xiong, YH; Xu, YQ; Niu, ZC 收藏  |  浏览/下载：44/1  |  提交时间：2010/03/08 LAYERS  SURFACTANT  SUBSTRATE  HEMT  SB   Low-temperature (10 K) infrared measurement of interstitial oxygen in heavily antimony-doped silicon via wafer thinning 期刊论文 semiconductor science and technology, 1997, 卷号: 12, 期号: 4, 页码: 464-466 Wang QY; Cai TH; Yu YH; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/11/17 Dislocation movement in nitrogen-doped Czochralski silicon 期刊论文 chinese physics letters, 1996, 卷号: 13, 期号: 5, 页码: 382-385 Wei YD; Liang JW 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2010/11/17 VELOCITIES