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半导体研究所 [15]
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期刊论文 [14]
会议论文 [1]
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2011 [4]
2009 [2]
2007 [1]
2006 [1]
2004 [1]
2003 [1]
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学科主题
半导体材料 [15]
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学科主题:半导体材料
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Improvement of amorphous silicon n-i-p solar cells by incorporating double-layer hydrogenated nanocrystalline silicon structure
期刊论文
journal of non-crystalline solids, 2011, 卷号: 357, 期号: 1, 页码: 121-125
作者:
Wang C
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浏览/下载:70/3
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提交时间:2011/07/05
Hydrogenated nanocrystalline silicon
Buffer layer
i/p interface
Solar cells
OPEN-CIRCUIT VOLTAGE
A-SI-H
P/I-INTERFACE
MICROCRYSTALLINE SILICON
VAPOR-DEPOSITION
FILMS
CAPACITANCE
EFFICIENCY
CRYSTALLINE
TEMPERATURE
Electrical transport properties of the Si-doped cubic boron nitride thin films prepared by in situ cosputtering
期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 2, 页码: article no.23716
作者:
Yin ZG
;
Zhang XW
;
Tan HR
;
Fan YM
;
Zhang SG
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浏览/下载:43/3
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提交时间:2011/07/05
HIGH-PRESSURE SYNTHESIS
VAPOR-DEPOSITION
NUCLEATION
EMISSION
DIAMOND
GROWTH
Fabrication, morphology and mechanical properties of Al2O3-Al graded coatings on China low activation martensitic steel substrates
期刊论文
surface and interface analysis, 2011
Song, Binbin
;
Wu, Ping
;
Chen, Sen
;
Zhang, Shiping
;
Yan, Dan
;
Xue, Lian
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浏览/下载:54/0
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提交时间:2012/06/14
Adhesion
Auger electron spectroscopy
Fabrication
Hardness
Magnetron sputtering
Martensitic steel
Morphology
Nanoindentation
Protective coatings
Scanning electron microscopy
Silicon wafers
X ray photoelectron spectroscopy
Optical properties of InAsSb nanostructures embedded in InGaAsSb strain reducing layer
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2011, 卷号: 43, 期号: 4, 页码: 869-873
作者:
Zhou XL
;
Li TF
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浏览/下载:31/1
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提交时间:2011/07/05
QUANTUM DOTS
LIGHT-EMISSION
WELLS
PHOTOLUMINESCENCE
Boron-doped silicon film as a recombination layer in the tunnel junction of a tandem solar cell
期刊论文
半导体学报, 2009, 卷号: 30, 期号: 6, 页码: 25-28
作者:
Liu Shiyong
;
Peng Wenbo
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2010/11/23
Luminescence spectroscopy of ion implanted AlN bulk single crystal
期刊论文
半导体学报, 2009, 卷号: 30, 期号: 8, 页码: 31-33
作者:
Ke Jianhong
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2010/11/23
Deposition of p-type nc-SiC : H thin films with subtle carbon incorporation for applications in p-i-n solar cells
期刊论文
acta physica sinica, 2007, 卷号: 56, 期号: 5, 页码: 2915-2919
Xu Y (Xu Ying)
;
Diao HW (Diao Hong-Wei)
;
Zhang SB (Zhang Shi-Bin)
;
Li XD (Li Xu-Dong)
;
Zeng XB (Zeng Xiang-Bo)
;
Wang WJ (Wang Wen-Jing)
;
Liao XB (Liao Xian-Bo)
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2010/03/29
infrared absorption spectra
Electrical properties of B-doped polycrystalline silicon thin films prepared by rapid thermal chemical vapour deposition
期刊论文
thin solid films, 2006, 卷号: 497, 期号: 1-2, 页码: 157-162
Ai B
;
Shen H
;
Liang ZC
;
Chen Z
;
Kong GL
;
Liao XB
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浏览/下载:49/0
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提交时间:2010/04/11
chemical vapour deposition
electrical properties and measurements
scanning electron microscopy
polycrystalline silicon
GRAIN-BOUNDARIES
STATES
Effect of In0.2Ga0.8As and In0.2Al0.8As combination layer on band offsets of InAs quantum dots
期刊论文
applied physics letters, 2004, 卷号: 84, 期号: 25, 页码: 5237-5239
作者:
Xu B
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浏览/下载:183/81
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提交时间:2010/03/09
1.3 MU-M
Photoluminescence of Mg-doped GaN grown by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
journal of vacuum science & technology a, 2003, 卷号: 21, 期号: 4, 页码: 838-841
Qu BZ
;
Zhu QS
;
Sun XH
;
Wan SK
;
Wang ZG
;
Nagai H
;
Kawaguchi Y
;
Hiramatsu K
;
Sawaki N
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浏览/下载:293/4
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提交时间:2010/08/12
P-TYPE GAN
LIGHT-EMITTING-DIODES
LOCALIZED EXCITONS
GALLIUM NITRIDE
FILMS
DEFECTS
LUMINESCENCE
COMPENSATION
SPECTROSCOPY
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