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科研机构
半导体研究所 [5]
内容类型
期刊论文 [3]
会议论文 [2]
发表日期
2003 [1]
2002 [1]
2001 [2]
1999 [1]
学科主题
半导体材料 [5]
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学科主题:半导体材料
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发表日期升序
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Nano-layer structure of silicon-on-insulator materials
会议论文
11th seoul international symposium on the physics of semiconductors and applications, seoul, south korea, aug 20-23, 2002
Wang X
;
Chen M
;
Chen J
;
Wang X
;
Dong YN
;
Liu XH
;
He P
;
Tian LL
;
Liu ZL
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2010/11/15
SOI
nanostructure
microelectronic materials
Wafer bonding technique used for the integration of cubic GaN/GaAs (001) with Si substrate
期刊论文
science in china series e-technological sciences, 2002, 卷号: 45, 期号: 3, 页码: 255-260
作者:
Zhang SM
;
Zhao DG
收藏
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浏览/下载:89/5
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提交时间:2010/08/12
wafer bonding
cubic
GaN/GaAs(001)
Si-substrate
LIGHT-EMITTING-DIODES
P-TYPE GAN
RESISTANCE
CONTACT
LASER
Indium doping effect on GaN in the initial growth stage
期刊论文
journal of electronic materials, 2001, 卷号: 30, 期号: 8, 页码: 977-979
作者:
Han PD
收藏
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浏览/下载:158/29
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提交时间:2010/08/12
GaN
indium doping
initial growth stage
morphology
optical transmission
photoluminescence
VAPOR-PHASE EPITAXY
BUFFER LAYER
FILMS
SAPPHIRE
DEPOSITION
Modification of emission wavelength of self-assembled In(Ga)As/GaAs quantum dots covered by InxGa1-xAs(0 <= x <= 0.3) layer
期刊论文
journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 期号: 0, 页码: 1062-1068
Niu ZC
;
Wang XD
;
Miao ZH
;
Feng SL
收藏
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浏览/下载:80/6
  |  
提交时间:2010/08/12
crystal morphology
quantum dots
molecular beam epitaxy
semiconducting gallium arsenide
semiconducting indium gallium arsenide
1.35 MU-M
GAAS-SURFACES
PHOTOLUMINESCENCE
ISLANDS
High power continuous-wave operation of self-organized In(Ga)As/GaAs quantum dot lasers
会议论文
1999 ieee hong kong electron devices meeting (hkedm 99), shatin, hong kong, 36337
作者:
Xu B
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2010/10/29
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