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科研机构
半导体研究所 [4]
内容类型
期刊论文 [4]
发表日期
2003 [1]
2000 [2]
1997 [1]
学科主题
半导体材料 [4]
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学科主题:半导体材料
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Annealing and activation of silicon implanted in semi-insulating InP substrates
期刊论文
materials science in semiconductor processing, 2003, 卷号: 6, 期号: 4, 页码: 215-218
Dong HW
;
Zhao YW
;
Li JM
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浏览/下载:50/0
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提交时间:2010/08/12
semi-insulating InP
ion implantation
silicon
annealing
activation
SI+-IMPLANTATION
PHOSPHIDE VAPOR
UNDOPED INP
FE
WAFERS
UNIFORMITY
PRESSURE
Effect of thermal annealing on hole trap levels in Mg-doped GaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy
期刊论文
journal of vacuum science & technology a, 2000, 卷号: 18, 期号: 1, 页码: 261-267
Zhu QS
;
Nagai H
;
Kawaguchi Y
;
Hiramatsu K
;
Sawaki N
收藏
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浏览/下载:64/0
  |  
提交时间:2010/08/12
P-TYPE GAN
DEEP LEVELS
Pulsed excimer laser annealing of Mg-doped cubic GaN
期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 209, 期号: 1, 页码: 203-207
作者:
Zhao DG
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浏览/下载:46/0
  |  
提交时间:2010/08/12
annealing
cubic GaN
Mg doping
photoluminescence
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
III-V NITRIDE
P-TYPE GAN
OPTICAL-PROPERTIES
COMPENSATION
DIODES
FILMS
Luminescence properties of ZnSe films grown by hot wall epitaxy
期刊论文
applied physics a-materials science & processing, 1997, 卷号: 64, 期号: 5, 页码: 507-509
Wong HM
;
Xia JB
;
Cheah KW
收藏
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浏览/下载:12/0
  |  
提交时间:2010/11/17
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
PHOTOLUMINESCENCE PROPERTIES
BAND
GAAS
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