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科研机构
半导体研究所 [9]
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期刊论文 [7]
会议论文 [2]
发表日期
2011 [1]
2010 [1]
2008 [1]
2006 [1]
2004 [1]
2003 [1]
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学科主题
半导体材料 [9]
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学科主题:半导体材料
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Temperature Compensation for Threshold Current and Slope Efficiency of 1.3 mu m InAs/GaAs Quantum-Dot Lasers by Facet Coating Design
期刊论文
chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: article no.44201
作者:
Cao YL
;
Yang T
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2011/07/05
WELL LASERS
DEPENDENCE
DIODE
GAIN
Catalytic Activation of Mg-Doped GaN by Hydrogen Desorption Using Different Metal Thin Layers
期刊论文
japanese journal of applied physics, 2010, 卷号: 49, 期号: 10, 页码: art. no. 100201
Wei TB (Wei Tongbo)
;
Wang JX (Wang Junxi)
;
Liu NX (Liu Naixin)
;
Lu HX (Lu Hongxi)
;
Zeng YP (Zeng Yiping)
;
Wang GH (Wang Guohong)
;
Li JM (Li Jinmin)
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2010/11/14
LOW-TEMPERATURE ACTIVATION
FILMS
AlGaN/GaN/InGaN/GaN DH-HEMTs structure with an AlN interlayer grown by MOCVD
会议论文
34th international symposium on compound semiconductors, kyoto, japan, oct 15-18, 2007
Tang, J
;
Wang, XL
;
Xiao, HL
;
Ran, JX
;
Wang, CM
;
Wang, XY
;
Hu, GX
;
Li, JM
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浏览/下载:46/0
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提交时间:2010/03/09
PERFORMANCE
HETEROSTRUCTURES
OPTIMIZATION
MOBILITY
Recent research results on deep level defects in semi-insulating InP - Application to improve material quality
会议论文
12th international conference on indium phosphide and related materials, princeton, nj, may 07-11, 2006
Zhao, YW (Zhao, Youwen)
;
Dong, ZY (Dong, Zhiyuan)
;
Dong, HW (Dong, Hongwei)
;
Sun, NF (Sun, Niefeng)
;
Sun, TN (Sun, Tongnian)
收藏
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浏览/下载:61/12
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提交时间:2010/03/29
STIMULATED CURRENT SPECTROSCOPY
CURRENT TRANSIENT SPECTROSCOPY
FE-DOPED INP
POINT-DEFECTS
COMPENSATION
TEMPERATURE
DONORS
TRAPS
Depth distribution of the strain in the GaN layer with low-temperature AlN interlayer on Si(111) substrate studied by Rutherford backscattering/channeling
期刊论文
applied physics letters, 2004, 卷号: 85, 期号: 23, 页码: 5562-5564
Lu, Y
;
Cong, GW
;
Liu, XL
;
Lu, DC
;
Wang, ZG
;
Wu, MF
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2010/03/17
STRESS
Photoluminescence of Mg-doped GaN grown by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
journal of vacuum science & technology a, 2003, 卷号: 21, 期号: 4, 页码: 838-841
Qu BZ
;
Zhu QS
;
Sun XH
;
Wan SK
;
Wang ZG
;
Nagai H
;
Kawaguchi Y
;
Hiramatsu K
;
Sawaki N
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浏览/下载:292/4
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提交时间:2010/08/12
P-TYPE GAN
LIGHT-EMITTING-DIODES
LOCALIZED EXCITONS
GALLIUM NITRIDE
FILMS
DEFECTS
LUMINESCENCE
COMPENSATION
SPECTROSCOPY
ACCEPTORS
Electrical Transport Properties of Annealed Undoped InP
期刊论文
半导体学报, 2002, 卷号: 23, 期号: 1, 页码: 1-5
Zhao Youwen
;
Luo Yilin
;
Sun Niefeng
;
S Fung
;
Beling C D
;
Sun Tongnian
;
Lin Lanyin
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2010/11/23
Pulsed excimer laser annealing of Mg-doped cubic GaN
期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 209, 期号: 1, 页码: 203-207
作者:
Zhao DG
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浏览/下载:46/0
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提交时间:2010/08/12
annealing
cubic GaN
Mg doping
photoluminescence
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
III-V NITRIDE
P-TYPE GAN
OPTICAL-PROPERTIES
COMPENSATION
DIODES
FILMS
Strain-compensated quantum cascade lasers operating at room temperature
期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 220, 期号: 4, 页码: 439-443
作者:
Jiang DS
;
Wang ZG
;
Xu B
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浏览/下载:48/0
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提交时间:2010/08/12
quantum cascade laser
strain-compensation
molecular beam epitaxy
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
MU-M
PERFORMANCE
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