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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 The growth temperatures dependence of optical and electrical properties of InN films 期刊论文 science in china series g-physics mechanics & astronomy, 2008, 卷号: 51, 期号: 3, 页码: 237-242 Liu, B; Zhang, R; Xie, ZL; Xiu, XQ; Li, L; Kong, JY; Yu, HQ; Han, P; Gu, SL; Shi, Y; Zheng, YD; Tang, CG; Chen, YH; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：48/2  |  提交时间：2010/03/08 metalorganic chemical vapor deposition  X-ray diffraction  photoluminescence   Influence of dislocation stress field on distribution of quantum dots 期刊论文 physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2006, 卷号: 33, 期号: 1, 页码: 130-133 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：55/0  |  提交时间：2010/04/11 stress  surface structure  semiconducting III-V materials  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  STRAIN  THICKNESS   Formation of self-assembly and the mechanism of Si nanoquantum dots prepared by low pressure chemical vapor deposition 期刊论文 acta physica sinica, 2003, 卷号: 52, 期号: 12, 页码: 3108-3113 Peng, YC; Ikeda, M; Miyazaki, S 收藏  |  浏览/下载：485/313  |  提交时间：2010/03/09 Si nanoquanturn dots   Hydrogen related defects in neutron-irradiated silicon grown in hydrogen ambient 会议论文 iumrs/icem 2002 conference, xian, peoples r china, jun 10-14, 2002 Wang QY; Wang JH; Deng HF; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2010/11/15 neutron irradiation  annealing  defects in silicon  SPECTRA   Thermally stable chromophores for nonlinear optical applications 期刊论文 materials research bulletin, 2002, 卷号: 37, 期号: 3, 页码: 523-531 Pan QW; Fang CS; Li F; Zhang ZY; Qin ZH; Wu XW; Gu QT; Yu JZ 收藏  |  浏览/下载：87/5  |  提交时间：2010/08/12 optical materials  organic compounds  differential scanning calorimetry  optical properties  2ND-ORDER   Metalorganic chemical vapor deposition of GaNAs alloys using different Ga precursors 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 236, 期号: 4, 页码: 516-522 Wei X; Wang GH; Zhang GZ; Zhu XP; Ma XY; Chen LH 收藏  |  浏览/下载：85/2  |  提交时间：2010/08/12 high resolution X-ray diffraction  precursor  metalorganic chemical vapor depositions  gallium compounds  LASER-DIODES  SOLAR-CELLS  BAND-GAP  GAINNAS  DIMETHYLHYDRAZINE  GROWTH  PYROLYSIS  EPITAXY   The dependence of growth rate of GaN buffer layer on growth parameters by metalorganic vapor-phase epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 1998, 卷号: 193, 期号: 1-2, 页码: 23-27 Liu XL; Lu DC; Wang LS; Wang XH; Wang D; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2010/08/12 MOVPE  GaN buffer layer  growth rate  growth parameters  TRIMETHYLGALLIUM  MECHANISMS  QUALITY  AMMONIA  DIODES  MOCVD  GAAS  THERMAL-DECOMPOSITION