QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Influence of InAs deposition. thickness on the structural and optical properties of InAs quantum wires 期刊论文 journal of university of science and technology beijing, 2007, 卷号: 14, 期号: 4, 页码: 341-344 Wang YL (Wang Yuanli); Cui H (Cui Hua); Lei W (Lei Wen); Su YH (Su Yahong); Chen YH (Chen Yonghai); Wu J (Wu Ju); Wang ZG (Wang Zhanguo) 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2010/03/29 quantum wire   Self-assembled InAs and In0.9Al0.1As quantum dots on (001)InP substrates grown by molecular beam epitaxy (MBE) 期刊论文 journal of crystal growth, 1999, 卷号: 204, 期号: 1-2, 页码: 24-28 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2010/08/12 self-assembled quantum dots  In0.9Al0.1As/InAlAs/InP  molecular beam epitaxy  VISIBLE LUMINESCENCE  ISLANDS  PHOTOLUMINESCENCE  INP  ENSEMBLES  INP(001)  INGAAS  GAAS  RADIATIVE RECOMBINATION   Structural characterization of InGaAs/GaAs quantum dots superlattice infrared photodetector structures 期刊论文 journal of crystal growth, 1999, 卷号: 200, 期号: 3-4, 页码: 375-381 Zhuang QD; Li JM; Zeng YP; Pan L; Li HX; Kong MY; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2010/08/12 InGaAs/GaAs  quantum dots  superlattice  structure  TEM  X-ray  ISLANDS  GROWTH  GAAS  MULTILAYERS  SURFACES  X-RAY-DIFFRACTION