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科研机构
半导体研究所 [4]
内容类型
期刊论文 [4]
发表日期
2010 [1]
2009 [1]
2005 [1]
2001 [1]
学科主题
半导体材料 [4]
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学科主题:半导体材料
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Preparation and Optical Performance of Freestanding GaN Thick Films
期刊论文
rare metal materials and engineering, 2010, 卷号: 39, 期号: 12, 页码: 2169-2172
作者:
Wei TB
;
Yang JK
;
Duan RF
收藏
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浏览/下载:58/10
  |  
提交时间:2011/07/05
GaN
HVPE
freestanding thick films
stress release
photoluminescence
VAPOR-PHASE EPITAXY
GROWTH
PRESSURE
HVPE
Characterization of Thick GaN Films Directly Grown on Wet-Etching Patterned Sapphire by HVPE
期刊论文
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 9, 页码: art. no. 096801
作者:
Yang JK
;
Wei TB
;
Duan RF
收藏
  |  
浏览/下载:73/3
  |  
提交时间:2010/03/08
VAPOR-PHASE EPITAXY
DISLOCATIONS
SUBSTRATE
LAYER
Crack-free GaN/Si(111) epitaxial layers grown with InAlGaN alloy as compliant interlayer by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
journal of crystal growth, 2005, 卷号: 279, 期号: 3-4, 页码: 335-340
作者:
Li DB
;
Wei HY
;
Han XX
收藏
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浏览/下载:59/22
  |  
提交时间:2010/03/17
cracks
Epitaxial lateral overgrowth of cubic GaN by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
journal of crystal growth, 2001, 卷号: 225, 期号: 1, 页码: 45-49
作者:
Zhao DG
收藏
  |  
浏览/下载:131/40
  |  
提交时间:2010/08/12
photoluminescence
SEM
epitaxial lateral overgrowth
metalorganic chemical vapor deposition
cubic GaN
PHASE EPITAXY
SELECTIVE GROWTH
LASER-DIODES
LAYERS
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