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科研机构
半导体研究所 [42]
内容类型
期刊论文 [28]
会议论文 [14]
发表日期
2013 [1]
2010 [1]
2009 [4]
2008 [1]
2006 [5]
2005 [2]
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学科主题
半导体材料 [42]
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学科主题:半导体材料
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High efficiency and high power continuous-wave semiconductor terahertz lasers at3.1 THz
期刊论文
solid-state electronics, 2013, 卷号: 81, 页码: 68–71
Junqi Liu , Jianyan Chen , Tao Wang , Yanfang Li , Fengqi Liu ,LuLi , Lijun Wang ,Zhanguo Wang
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2014/02/12
Terahertz
Semiconductor laser
Quantum cascade laser
Continuous-wave
The growth of ZnO on bcc-In2O3 buffer layers and the valence band offset determined by X-ray photoemission spectroscopy
期刊论文
solid state communications, 2010, 卷号: 150, 期号: 41-42, 页码: 1991-1994
Song HP (Song H. P.)
;
Zheng GL (Zheng G. L.)
;
Yang AL (Yang A. L.)
;
Guo Y (Guo Y.)
;
Wei HY (Wei H. Y.)
;
Li CM (Li C. M.)
;
Yang SY (Yang S. Y.)
;
Liu XL (Liu X. L.)
;
Zhu QS (Zhu Q. S.)
;
Wang ZG (Wang Z. G.)
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2010/11/27
ZnO
In2O3
MOCVD
Photoelectron spectroscopies
IN2O3-ZNO FILMS
TRANSPARENT
OXIDE
SEMICONDUCTORS
INN
High efficiency passively Q-switched mode-locking Nd:GdVO4 laser with LT-In0.25Ga0.75As saturable absorber
期刊论文
optical materials, 2009, 卷号: 31, 期号: 8, 页码: 1215-1217
Pan SD
;
Zhao LN
;
Yuan Y
;
Zhu SN
;
He JL
;
Wang YG
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浏览/下载:104/2
  |  
提交时间:2010/03/08
Semiconductor saturable absorber
Q-switch
Mode lock
Nd:GdVO4
An internally-matched GaN HEMTs device with 45.2 W at 8 GHz for X-band application
期刊论文
solid-state electronics, 2009, 卷号: 53, 期号: 3, 页码: 332-335
作者:
Zhang ML
;
Hou QF
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浏览/下载:129/30
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提交时间:2010/03/08
AlGaN/AlN/GaN
HEMT
MOCVD
SiC substrate
Power device
532 nm continuous wave mode-locked Nd:GdVO4 laser with SESAM
期刊论文
laser physics letters, 2009, 卷号: 6, 期号: 2, 页码: 113-116
Li L
;
Liu J
;
Liu M
;
Liu S
;
Chen E
;
Wang W
;
Wang Y
收藏
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浏览/下载:319/68
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提交时间:2010/03/08
all-solid-state laser
passively mode-locked
green laser
continuous wave mode-locking
SESAM
Nd:GdVO4 crystal
Morphology and wetting layer properties of InAs/GaAs nanostructures
会议论文
5th international conference on semiconductor quantum dots, gyeongju, south korea, may 11-16, 2008
作者:
Xu B
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浏览/下载:30/0
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提交时间:2010/03/09
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
Hydrogen sensors based on Pt-AlGaN/GaN back-to-back Schottky diode
会议论文
34th international symposium on compound semiconductors, kyoto, japan, oct 15-18, 2007
Wang, XH
;
Wang, XL
;
Xiao, HL
;
Feng, C
;
Wang, XY
;
Wang, BZ
;
Yang, CB
;
Wang, JX
;
Wang, CM
;
Ran, JX
;
Hu, GX
;
Li, JM
收藏
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浏览/下载:43/0
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提交时间:2010/03/09
GAS SENSORS
HEMT STRUCTURES
MOBILITY
TEMPERATURE
TRANSISTORS
GROWTH
MOCVD
LAYER
Electrical properties of B-doped polycrystalline silicon thin films prepared by rapid thermal chemical vapour deposition
期刊论文
thin solid films, 2006, 卷号: 497, 期号: 1-2, 页码: 157-162
Ai B
;
Shen H
;
Liang ZC
;
Chen Z
;
Kong GL
;
Liao XB
收藏
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浏览/下载:48/0
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提交时间:2010/04/11
chemical vapour deposition
electrical properties and measurements
scanning electron microscopy
polycrystalline silicon
GRAIN-BOUNDARIES
STATES
Research on the band-gap of InN grown on siticon substrates
会议论文
32nd international symposium on compound semiconductors, rust, germany, sep 18-22, 2005
Xiao, HL
;
Wang, XL
;
Wang, JX
;
Zhang, NH
;
Liu, HX
;
Zeng, YP
;
Li, JM
收藏
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浏览/下载:100/15
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提交时间:2010/03/29
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
WURTZITE INN
NITRIDE
ABSORPTION
ALLOYS
FILMS
Room-temperature observation of electron resonant tunneling through InAs/AlAs quantum dots
期刊论文
electrochemical and solid state letters, 2006, 卷号: 9, 期号: 5, 页码: g167-g170
作者:
Ye XL
;
Xu B
收藏
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浏览/下载:77/0
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提交时间:2010/04/11
SEMICONDUCTOR-DEVICES
TRANSPORT
STATES
BISTABILITY
VOLTAGE
LASERS
DIODE
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