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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 1.55-mu m resonant cavity enhanced photodiode based on MBE grown Ge quantum dots 会议论文 4th international conference on silicon epitaxy and heterostructures, awaji isl, japan, may 23-26, 2005 Yu, J; Kasper, E; Oehme, M 收藏  |  浏览/下载：147/20  |  提交时间：2010/03/29 SiGe   1.55-mu m resonant cavity enhanced photodiode based on MBE grown Ge quantum dots 期刊论文 thin solid films, 2006, 卷号: 508, 期号: 1-2, 页码: 396-398 Yu J; Kasper E; Oehme M 收藏  |  浏览/下载：63/0  |  提交时间：2010/04/11 SiGe  photodiode  MBE  quantum dots  PHOTODETECTORS  OPERATION   Characteristics of circular waveguide photodetectors using SiGe/Si multiple quantum wells 期刊论文 optical materials, 2000, 卷号: 14, 期号: 3, 页码: 267-269 Li C; Yang QQ; Wang HJ; Cheng BW; Yu JZ; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2010/08/12 circular waveguide photodetector  responsivity  quantum efficiency  SiGe/Si MQW  1.3 MU-M   Characteristics of circular waveguide photodetectors using SiGe/Si multiple quantum wells 会议论文 international-union-of-materials-research-societies international conference on advanced materials (iumrs-icam 99), beijing, peoples r china, jun 13-18, 1999 Li C; Yang QQ; Wang HJ; Cheng BW; Yu JZ; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2010/11/15 circular waveguide photodetector  responsivity  quantum efficiency  SiGe/Si MQW  1.3 MU-M   Effect of Si overgrowth on the structural and luminescence properties of Ge islands on Si(100) 期刊论文 journal of crystal growth, 1999, 卷号: 207, 期号: 1-2, 页码: 150-153 Liu JP; Wang JZ; Huang DD; Li JP; Sun DZ; Kong MY 收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2010/08/12 QUANTUM-WELLS  PHOTOLUMINESCENCE