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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Preparation of 50mm 3C-SiC/Si(111) as Substrates Suited for Ⅲ-Nitrides 期刊论文 半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 10, 页码: 1205-1210 Sun Guosheng; Zhang Yongxing; Gao Xin; Wang Junxi; Wang Lei; Zhao Wanshun; Wang Xiaoliang; Zeng Yiping; Li Jinmin 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/11/23 Dielectric properties of Bi2Ti2O7 films grown on Si(100) substrate by APMOCVD 期刊论文 ferroelectrics, 2002, 卷号: 271, 期号: 0, 页码: 1707-1713 Wang H; Shang SX; Yao WF; Hou Y; Xu XH; Wang D; Wang M; Yu JZ 收藏  |  浏览/下载：80/0  |  提交时间：2010/08/12 Bi2Ti2O7  thin film  MOCVD  (111) orientation  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  CRYSTAL THIN-FILMS