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科研机构
半导体研究所 [4]
内容类型
期刊论文 [4]
发表日期
2006 [3]
1994 [1]
学科主题
半导体材料 [4]
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学科主题:半导体材料
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Growth and characterization of semi-insulating GaN films grown by MOCVD
期刊论文
journal of rare earths, 2006, 卷号: 24, 期号: sp.iss.si, 页码: 14-18
Fang CB
;
Wang XL
;
Hu GX
;
Wang JX
;
Wang CM
;
Li JM
收藏
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浏览/下载:49/0
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提交时间:2010/04/11
MOCVD
GaN
resistivity
TSC
N-TYPE GAN
DOPED GAN
SPECTROSCOPY
CARBON
FE
Room-temperature observation of electron resonant tunneling through InAs/AlAs quantum dots
期刊论文
electrochemical and solid state letters, 2006, 卷号: 9, 期号: 5, 页码: g167-g170
作者:
Ye XL
;
Xu B
收藏
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浏览/下载:78/0
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提交时间:2010/04/11
SEMICONDUCTOR-DEVICES
TRANSPORT
STATES
BISTABILITY
VOLTAGE
LASERS
DIODE
Electron resonant tunneling through InAs/GaAs quantum dots embedded in a Schottky diode with an AlAs insertion layer
期刊论文
journal of the electrochemical society, 2006, 卷号: 153, 期号: 7, 页码: g703-g706
作者:
Ye XL
;
Xu B
;
Jin P
收藏
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浏览/下载:93/0
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提交时间:2010/04/11
GAAS
SPECTROSCOPY
PARAMETERS
TRANSPORT
LASERS
ENERGY
STATES
HOLE
GIANT CAPACITANCE OSCILLATIONS RELATED TO THE QUANTUM CAPACITANCE IN GAAS ALAS SUPERLATTICES
期刊论文
applied physics letters, 1994, 卷号: 64, 期号: 25, 页码: 3416-3418
ZHANG YH
;
LI YX
;
JIANG DH
;
YANG XP
;
ZHANG PH
收藏
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2010/11/15
ELECTRIC-FIELD DOMAINS
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