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科研机构
半导体研究所 [6]
内容类型
期刊论文 [5]
会议论文 [1]
发表日期
2009 [1]
2006 [1]
2004 [1]
2002 [1]
2001 [2]
学科主题
半导体材料 [6]
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学科主题:半导体材料
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Well-width dependence of in-plane optical anisotropy in (001) GaAs/AlGaAs quantum wells induced by in-plane uniaxial strain and interface asymmetry
期刊论文
journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 10, 页码: art. no. 103108
作者:
Xu B
;
Ye XL
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浏览/下载:71/0
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提交时间:2010/03/08
aluminium compounds
gallium arsenide
III-V semiconductors
internal stresses
reflectivity
semiconductor heterojunctions
semiconductor quantum wells
Effect of small-angle scattering on the integer quantum Hall plateau
期刊论文
chinese physics letters, 2006, 卷号: 23, 期号: 2, 页码: 436-438
Shu Q
;
Lin YW
;
Xing XD
;
Yao JH
;
Pi B
;
Shu YC
;
Wang ZG
;
Xu JJ
收藏
  |  
浏览/下载:267/7
  |  
提交时间:2010/04/11
MAGNETIC-FIELD
HETEROSTRUCTURES
RESISTANCE
DEPENDENCE
Depth distribution of the strain in the GaN layer with low-temperature AlN interlayer on Si(111) substrate studied by Rutherford backscattering/channeling
期刊论文
applied physics letters, 2004, 卷号: 85, 期号: 23, 页码: 5562-5564
Lu, Y
;
Cong, GW
;
Liu, XL
;
Lu, DC
;
Wang, ZG
;
Wu, MF
收藏
  |  
浏览/下载:21/0
  |  
提交时间:2010/03/17
STRESS
Wafer bonding technique used for the integration of cubic GaN/GaAs (001) with Si substrate
期刊论文
science in china series e-technological sciences, 2002, 卷号: 45, 期号: 3, 页码: 255-260
作者:
Zhang SM
;
Zhao DG
收藏
  |  
浏览/下载:88/5
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提交时间:2010/08/12
wafer bonding
cubic
GaN/GaAs(001)
Si-substrate
LIGHT-EMITTING-DIODES
P-TYPE GAN
RESISTANCE
CONTACT
LASER
Hydrogen behavior in GaN epilayers grown by NH3-MBE
期刊论文
journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 期号: 0, 页码: 371-375
Kong MY
;
Zhang JP
;
Wang XL
;
Sun DZ
收藏
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浏览/下载:101/8
  |  
提交时间:2010/08/12
impurities
molecular beam epitaxy
nitrides
semiconducting III-V materials
GALLIUM NITRIDE
SAPPHIRE SUBSTRATE
DEFECTS
HETEROSTRUCTURE
SEMICONDUCTORS
STRESS
Hydrogen behavior in GaN epilayers grown by NH3-MBE
会议论文
11th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-xi), beijing, peoples r china, sep 11-15, 2000
Kong MY
;
Zhang JP
;
Wang XL
;
Sun DZ
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2010/11/15
impurities
molecular beam epitaxy
nitrides
semiconducting III-V materials
GALLIUM NITRIDE
SAPPHIRE SUBSTRATE
DEFECTS
HETEROSTRUCTURE
SEMICONDUCTORS
STRESS
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