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半导体研究所 [12]
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学科主题
半导体材料 [12]
半导体物理 [1]
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学科主题:半导体材料
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Anomalous temperature dependence of photoluminescence spectra from InAs/GaAs quantum dots grown by formation–dissolution–regrowth method
期刊论文
中国物理B, 2017, 卷号: 26, 期号: 6, 页码: 068102
杨冠卿
;
张世著
;
徐波
;
陈涌海
;
王占国
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浏览/下载:55/0
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提交时间:2017/05/23
量子点
光致荧光
反常温度效应
激活能
High Efficiency, Low Power-Consumption DFB Quantum Cascade Lasers Without Lateral Regrowth
期刊论文
Nanoscale Research Letters, 2017, 卷号: 12, 页码: 1-5
作者:
Zhi-Wei Jia
;
Li-Jun Wang
;
Jin-Chuan Zhang
;
Feng-Qi Liu
;
Yu-Hong Zhou
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浏览/下载:51/0
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提交时间:2018/05/23
Fabrication of Low-Density Long-Wavelength InAs Quantum Dots using a Formation-Dissolution-Regrowth Method
期刊论文
chinese physics letters, 2013, 卷号: 30, 期号: 8, 页码: 087804
ZHANG Shi-Zhu, YE Xiao-Ling, XU Bo, LIU Shu-Man, ZHOU Wen-Fei, WANG Zhan-Guo
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2014/02/12
High-performance uncooled distributed-feedback quantum cascade laser without lateral regrowth
期刊论文
applied physics letters, 2012, 卷号: 100, 期号: 11, 页码: 112105
Zhang, JC
;
Liu, FQ
;
Tan, S
;
Yao, DY
;
Wang, LJ
;
Li, L
;
Liu, JQ
;
Wang, ZG
收藏
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2013/03/17
Narrow-beam divergence 1.55μm laser diodes with integrated self-aligned spotsize conVerter
期刊论文
Chinese Optics Letters, 2003, 卷号: 1, 期号: 1, 页码: 18-20
作者:
Wang Wei
;
Wang Wei
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2010/11/23
Selective-area MOCVD growth for distributed feedback lasers integrated with vertically tapered self-aligned waveguide
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 250, 期号: 3-4, 页码: 583-587
Qiu WB
;
Wang W
;
Dong J
;
Zhou F
;
Zhang JY
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浏览/下载:45/0
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提交时间:2010/08/12
self-alignment
spotsize converter
tapered waveguide
selective area growth
distributed feeback lasers
1.5μm Self-Aligned Spotsize Converter Integrated DFB Fabricated by Selective Area Grown MOVPE
期刊论文
半导体学报, 2002, 卷号: 23, 期号: 7, 页码: 681-684
作者:
Wang Wei
;
Wang Wei
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2010/11/23
Improvement of thin silicon on sapphire (SOS) film materials and device performances by solid phase epitaxy
期刊论文
materials science and engineering b-solid state materials for advanced technology, 2000, 卷号: 72, 期号: 2-3, 页码: 189-192
作者:
Yu F
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浏览/下载:46/0
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提交时间:2010/08/12
solid phase epitaxy
silicon on sapphire (SOS)
carrier mobility
Improvement of thin silicon on sapphire (SOS) film materials and device performances by solid phase epitaxy
会议论文
international conference on advanced materials: sympopsium m - silicon-based materials and devices, beijing, peoples r china, jun 13-18, 1999
作者:
Yu F
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2010/11/15
solid phase epitaxy
silicon on sapphire (SOS)
carrier mobility
Threshold reduction in strained-layer InGaAs/GaAs quantum well lasers by liquid phase epitaxy regrowth
期刊论文
journal of crystal growth, 1998, 卷号: 194, 期号: 1, 页码: 25-30
Lu LW
;
Zhang YH
;
Yang GW
;
Wang J
;
Ge WK
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浏览/下载:33/0
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提交时间:2010/08/12
InGaAs/GaAs quantum wells
DLTS measurements
nonradiative centers
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