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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Study on Mg memory effect in npn type AlGaN/GaN HBT structures grown by MOCVD 期刊论文 microelectronics journal, 2006, 卷号: 37, 期号: 7, 页码: 583-585 Ran JX; Wang XL; Hu GX; Wang JX; Li JP; Wang CM; Zeng YP; Li JM 收藏  |  浏览/下载：55/0  |  提交时间：2010/04/11 GaN  Mg memory effect  redistribution  AlGaN/GaN HBTs  MOCVD  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  HETEROJUNCTION BIPOLAR-TRANSISTORS  FABRICATION   Thermal annealing effect on InAs/InGaAs quantum dots grown by atomic layer molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 2004, 卷号: 269, 期号: 2-4, 页码: 181-186 作者:  Ye XL;  Jin P;  Xu B;  Li CM 收藏  |  浏览/下载：185/45  |  提交时间：2010/03/09 photoluminescence   Temperature dependence of electron redistribution in modulation-doped InAs/GaAs quantum dots 期刊论文 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 219, 期号: 3, 页码: 199-204 作者:  Xu B;  Ye XL 收藏  |  浏览/下载：59/0  |  提交时间：2010/08/12 quantum dots  InAs/GaAs  MBE  photoluminescence  absorption  OPTICAL-PROPERTIES  PHOTOLUMINESCENCE  SPECTROSCOPY  INGAAS  LASER   Photodilatation effect of undoped a-Si:H films 期刊论文 physical review letters, 1997, 卷号: 79, 期号: 21, 页码: 4210-4213 Kong GL; Zhang DL; Yue GZ; Liao XB 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/11/17 HYDROGENATED AMORPHOUS-SILICON  RELAXATION