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半导体研究所 [130]
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发表日期
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学科主题
半导体材料 [130]
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学科主题:半导体材料
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Radiation modulation of circular photogalvanic effect in two-dimensional electron gas system
期刊论文
journal of physics: conference series, 2012, 卷号: 400, 期号: part 4, 页码: 042024
Jiang, Chongyun
;
Ma, Hui
;
Yu, Jinling
;
Liu, Yu
;
Chen, Yonghai
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2013/05/13
Anomalous Temperature Dependence of Photoluminescence in InAs/InAlGaAs/InP Quantum Wire and Dot Hybrid Nanostructures
期刊论文
chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 2, 页码: article no.27801
作者:
Xu B
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浏览/下载:51/3
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提交时间:2011/07/05
CONTINUOUS-WAVE OPERATION
EMISSION
LASERS
WAVELENGTH
EXCITONS
ENERGY
Circular photogalvanic effect induced by near-infrared radiation in InAs quantum wires patterned quasi-two-dimensional electron system
期刊论文
applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 23, 页码: art. no. 232116
作者:
Jiang CY
;
Yu JL
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浏览/下载:50/6
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提交时间:2011/07/15
OPTICAL-PROPERTIES
DOTS
Ratchet effect induced by linearly polarized near- and mid-infrared radiation in InAs nanowires patterned quasi two-dimensional electron system
期刊论文
applied physics letters, 2011, 卷号: 99, 期号: 3, 页码: 32106
Jiang CY
;
Ma H
;
Yu JL
;
Liu Y
;
Chen YH
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2012/02/06
QUANTUM WIRES
OPTICAL-PROPERTIES
RECTIFICATION
FLUCTUATIONS
Effect of growth temperature on the morphology and phonon properties of InAs nanowires on Si substrates
期刊论文
nanoscale research letters, 2011, 卷号: 6, 页码: 463
Li, TF
;
Chen, YH
;
Lei, W
;
Zhou, XL
;
Luo, S
;
Hu, YZ
;
Wang, LJ
;
Yang, T
;
Wang, ZG
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2012/02/06
RAMAN-SCATTERING
SEMICONDUCTING NANOWIRES
OPTOELECTRONIC DEVICES
PHOSPHIDE NANOWIRES
OPTICAL PHONONS
SILICON
CRYSTALS
SPECTRA
High-power quantum dot superluminescent diode with integrated optical amplifier section
期刊论文
electronics letters, 2011, 卷号: 47, 期号: 21, 页码: 1191-
Wang, ZC
;
Jin, P
;
Lv, XQ
;
Li, XK
;
Wang, ZG
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2012/02/06
LIGHT-EMITTING-DIODES
SPECTRUM
Nanostructural instability of single-walled carbon nanotubes during electron beam induced shrinkage
期刊论文
carbon, 2011, 卷号: 49, 期号: 9, 页码: 3120-3124
Zhu XF
;
Li LX
;
Huang SL
;
Wang ZG
;
Lu GQ
;
Sun CH
;
Wang LZ
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浏览/下载:25/3
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提交时间:2011/07/05
IRRADIATION
NANOCAVITY
Determination of the transport properties in 4H-SiC wafers by Raman scattering measurement
期刊论文
chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 3, 页码: article no.33301
作者:
Liu XF
;
Yan GG
;
Zheng L
;
Dong L
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浏览/下载:38/3
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提交时间:2011/07/05
4H-SiC
Raman scattering
LOPC modes
transport properties
SILICON-CARBIDE
LIGHT
GAP
The transition from two-stage to three-stage evolution of wetting layer of InAs/GaAs quantum dots caused by postgrowth annealing
期刊论文
applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 7, 页码: article no.71914
作者:
Jin P
;
Ye XL
;
Zhou XL
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浏览/下载:50/4
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提交时间:2011/07/05
SPECTROSCOPY
Infrared transition properties of vanadium dioxide thin films across semiconductor-metal transition
期刊论文
rare metals, 2011, 卷号: 30, 期号: 3, 页码: 247-251
作者:
Li GK
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浏览/下载:75/2
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提交时间:2011/07/05
vanadium dioxide
infrared transition
diffraction effect
dual ion beam sputtering
annealing
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