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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Tentative analysis of Swirl defects in silicon crystals 期刊论文 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 213, 期号: 3-4, 页码: 276-282 Fan TW; Qian JJ; Wu J; Lin LY; Yuan J 收藏  |  浏览/下载：80/0  |  提交时间：2010/08/12 swirl defect  silicon  electron energy loss spectroscopy   Influence of precipitates on GaN epilayer quality 期刊论文 materials science and engineering b-solid state materials for advanced technology, 2000, 卷号: 75, 期号: 2-3, 页码: 214-217 Kang JY; Huang QS; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2010/08/12 precipitate  GaN  WDS  TEM  cathodoluminescence  VAPOR-PHASE EPITAXY  FILMS  MECHANISM  GROWTH   Influence of precipitates on GaN epilayer quality 会议论文 iumrs international conference of advanced materials, beijing, peoples r china, jun 13-18, 1999 Kang JY; Huang QS; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/15 precipitate  GaN  WDS  TEM  cathodoluminescence  VAPOR-PHASE EPITAXY  FILMS  MECHANISM  GROWTH   Properties of GaAs single crystals grown by molecular beam epitaxy at low temperatures 期刊论文 science in china series a-mathematics physics astronomy, 1997, 卷号: 40, 期号: 2, 页码: 214-218 Chen NF; He HJ; Wang YT; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2010/11/17 low temperature  molecular beam epitaxy  GaAs single crystal  lattice parameter  arsenic interstitial couples  arsenic precipitates  effects of backgating or sidegating  LAYERS  DEPENDENCE   Dislocations and precipitates in semi-insulating gallium arsenide revealed by ultrasonic Abrahams-Buiocchi etching 期刊论文 journal of crystal growth, 1996, 卷号: 167, 期号: 0, 页码: 766-768 Chen NF; He HJ; Wang YT; Pan K; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/17 GAAS