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科研机构
半导体研究所 [8]
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期刊论文 [8]
发表日期
2010 [1]
2006 [1]
2005 [1]
2003 [3]
1998 [1]
1994 [1]
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学科主题
半导体材料 [8]
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学科主题:半导体材料
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Origin of flat-band voltage sharp roll-off in metal gate/high-k/ultrathin- SiO2/Si p-channel metal-oxide-semiconductor stacks
期刊论文
applied physics letters, 2010, 卷号: 97, 期号: 13, 页码: art. no. 132908
Zheng XH (Zheng X. H.)
;
Huang AP (Huang A. P.)
;
Xiao ZS (Xiao Z. S.)
;
Yang ZC (Yang Z. C.)
;
Wang M (Wang M.)
;
Zhang XW (Zhang X. W.)
;
Wang WW (Wang W. W.)
;
Chu PK (Chu Paul K.)
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提交时间:2010/11/14
OXYGEN
GATE
DIFFUSION
FILMS
Photoluminescence from C+ ion-implanted and electrochemical etched Si layers
期刊论文
applied surface science, 2006, 卷号: 252, 期号: 24, 页码: 8424-8427
Shi LW (Shi Liwei)
;
Wang Q (Wang Qiang)
;
Li YG (Li Yuguo)
;
Xue CS (Xue Chengshan)
;
Zhuang HZ (Zhuang Huizhao)
收藏
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浏览/下载:34/0
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提交时间:2010/04/11
ion implantation
annealing
chemical etching
photoluminescence
POROUS SILICON
LUMINESCENCE
Wet Oxidation of AlxGa1-xAs/GaAs Distributed Bragg Reflectors
期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 8, 页码: 1519-1523
作者:
Jin Peng
;
Xu Bo
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2010/11/23
MnSb/porous silicon hybrid structure prepared by physical vapor deposition
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 259, 期号: 1-2, 页码: 110-114
Xiu HX
;
Chen NF
;
Peng CT
收藏
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浏览/下载:336/6
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提交时间:2010/08/12
physical vapor deposition processes
manganese antimonide
porous silicon
POROUS-SILICON
FILMS
MNSB
EPITAXY
Optical investigation on the annealing effect and its mechanism of GaInAs/GaNAs quantum wells
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 253, 期号: 1-4, 页码: 155-160
作者:
Jiang DS
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浏览/下载:56/0
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提交时间:2010/08/12
interdiffusion
post-annealing
quantum wells
GaInNAs/GaAs
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
CARRIER LOCALIZATION
GAINNAS
LUMINESCENCE
ORIGIN
GAASN
Influence of semi-insulating InP substrates on InAlAs epilayers grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 250, 期号: 3-4, 页码: 364-369
Dong HW
;
Zhao YW
;
Zeng YP
;
Jiao JH
;
Li JM
;
Lin LY
收藏
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浏览/下载:46/0
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提交时间:2010/08/12
diffusion
interfaces
substrates
molecular beam epitaxy
phosphides
semiconducting indium phosphide
UNDOPED SEMIINSULATING INP
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
PHOSPHIDE VAPOR
FE
INTERFACE
PHOTOLUMINESCENCE
WAFER
UNIFORMITY
DIFFUSION
PRESSURE
Annealing behavior of InAs/GaAs quantum dot structures
期刊论文
journal of electronic materials, 1998, 卷号: 27, 期号: 2, 页码: 59-61
Wang ZM
;
Feng SL
;
Lu ZD
;
Zhao Q
;
Yang XP
;
Chen ZG
;
Xu ZY
;
Zheng HZ
收藏
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浏览/下载:43/0
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提交时间:2010/08/12
annealing
InAs/GaAs
quantum dots
BOX ISLANDS
GAAS
INTERDIFFUSION
GAAS(100)
GROWTH
THRESHOLD
INGAAS
STRAIN
SCALE
OPTICAL-PROPERTIES
INVESTIGATION OF POROUS SILICON BY SCANNING-TUNNELING-MICROSCOPY AND ATOMIC-FORCE MICROSCOPY
期刊论文
journal of vacuum science & technology b, 1994, 卷号: 12, 期号: 4, 页码: 2437-2439
YU T
;
LAIHO R
;
HEIKKILA L
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2010/11/15
PHOTOLUMINESCENCE
SPECTROSCOPY
WAFERS
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