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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Effect of high temperature AlGaN buffer thickness on GaN Epilayer grown on Si(111) substrates 期刊论文 journal of materials science-materials in electronics, 2011, 卷号: 22, 期号: 8, 页码: 1028-1032 作者:  Pan X 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2011/09/14 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  PHASE EPITAXY  ALN INTERLAYERS  FILMS  STRESS  LAYERS  DISLOCATIONS  REDUCTION  DENSITY  DIODES   Crack control in GaN grown on silicon (111) using In doped low-temperature AlGaN interlayer by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文 optical materials, 2006, 卷号: 28, 期号: 10, 页码: 1227-1231 Wu JJ (Wu Jiejun); Han XX (Han Xiuxun); Li JM (Li Jiemin); Wei HY (Wei Hongyuan); Cong GW (Cong Guangwei); Liu XL (Liu Xianglin); Zhu QS (Zhu Qinsheng); Wang ZG (Wang Zhanguo); Jia QJ (Jia Quanjie); Guo LP (Guo Liping); Hu TD (Hu Tiandou); Wang HH (Wang Huanhua) 收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2010/04/11 in doping  cracks  Si(111) substrate  LT-AlGaN interlayer  metalorganic chemical vapor deposition  GaN  PHASE EPITAXY  INDIUM-SURFACTANT  OPTICAL-PROPERTIES  SI(111)  STRESS  FILMS   Photoluminescence from C+ ion-implanted and electrochemical etched Si layers 期刊论文 applied surface science, 2006, 卷号: 252, 期号: 24, 页码: 8424-8427 Shi LW (Shi Liwei); Wang Q (Wang Qiang); Li YG (Li Yuguo); Xue CS (Xue Chengshan); Zhuang HZ (Zhuang Huizhao) 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2010/04/11 ion implantation  annealing  chemical etching  photoluminescence  POROUS SILICON  LUMINESCENCE   Annealing and activation of silicon implanted in semi-insulating InP substrates 期刊论文 materials science in semiconductor processing, 2003, 卷号: 6, 期号: 4, 页码: 215-218 Dong HW; Zhao YW; Li JM 收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2010/08/12 semi-insulating InP  ion implantation  silicon  annealing  activation  SI+-IMPLANTATION  PHOSPHIDE VAPOR  UNDOPED INP  FE  WAFERS  UNIFORMITY  PRESSURE   Hydrogen-dependent lattice dilation in GaN 期刊论文 semiconductor science and technology, 2000, 卷号: 15, 期号: 6, 页码: 619-621 Zhang JP; Wang XL; Sun DZ; Kong MY 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2010/08/12 OPTICAL-PROPERTIES  GALLIUM NITRIDE  SAPPHIRE  EPILAYERS  STRESS  SEMICONDUCTORS  ELECTRONS  SILICON  STRAIN  FILMS