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科研机构
半导体研究所 [69]
内容类型
期刊论文 [56]
会议论文 [13]
发表日期
2015 [1]
2011 [6]
2010 [1]
2009 [3]
2008 [1]
2006 [1]
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学科主题
半导体材料 [69]
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学科主题:半导体材料
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Controlled growth of few-layer hexagonal boron nitride on copper foils using ion beam sputtering
期刊论文
small, 2015, 卷号: 11, 期号: 13, 页码: 1542–1547
Haolin Wang
;
Xingwang Zhang
;
Junhua Meng
;
Zhigang Yin
;
Xin Liu
;
Yajuan Zhao
;
Liuqi Zhang
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2016/03/23
MOCVD growth of a-plane InN films on r-Al2O3 with different buffer layers
期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 319, 期号: 1, 页码: 114-117
作者:
Jia CH
;
Song HP
收藏
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浏览/下载:119/2
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提交时间:2011/07/05
Anisotropy
Crystal morphology
Metalorganic chemical vapor deposition
a-Plane InN
INDIUM NITRIDE
MOVPE GROWTH
CUBIC INN
SAPPHIRE
GAN
MBE
Optical and electrical characteristics of GaN vertical light emitting diode with current block layer
期刊论文
journal of semiconductors, 2011, 卷号: 32, 期号: 6, 页码: 64007
Guo, Enqing
;
Liu, Zhiqiang
;
Wang, Liancheng
;
Yi, Xiaoyan
;
Wang, Guohong
收藏
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2012/06/14
Drops
Efficiency
Electric contactors
Gallium nitride
Light emission
Ohmic contacts
Silica
Defect-related emission characteristics of nonpolar m-plane GaN revealed by selective etching
期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 314, 期号: 1, 页码: 141-145
作者:
Duan RF
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浏览/下载:87/4
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提交时间:2011/07/05
CL
PL
Stacking fault
HVPE
GaN
Nonpolar
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
ACCEPTOR PAIR EMISSION
PHASE EPITAXY
GROWN GAN
SEMICONDUCTORS
SAPPHIRE
FILMS
NITRIDE
Well-aligned Zn-doped tilted InN nanorods grown on r-plane sapphire by MOCVD
期刊论文
nanotechnology, 2011, 卷号: 22, 期号: 23, 页码: article no.235603
作者:
Song HP
收藏
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浏览/下载:69/3
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提交时间:2011/07/05
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
SEMICONDUCTOR NANOWIRES
NITRIDE NANOTUBES
GAN
EMISSION
MECHANISM
Investigation of structural and optical anisotropy of m-plane InN films grown on gamma-LiAlO(2)(100) by metal organic chemical vapour deposition
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 24, 页码: 245402
Fu D
;
Zhang R
;
Liu B
;
Xie ZL
;
Xiu XQ
;
Gu SL
;
Lu H
;
Zheng YD
;
Chen YH
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2012/02/06
FUNDAMENTAL-BAND GAP
INDIUM NITRIDE
BUFFER LAYER
DEPENDENCE
SAPPHIRE
MOCVD
Improved III-nitrides based light-emitting diodes anti-electrostatic discharge capacity with an AlGaN/GaN stack insert layer
期刊论文
ieee international conference on group iv photonics gfp, 2011, 卷号: 32, 期号: 11, 页码: 114007
Li, Zhicong
;
Li, Panpan
;
Wang, Bing
;
Li, Hongjian
;
Liang, Meng
;
Yao, Ran
;
Li, Jing
;
Deng, Yuanming
;
Yi, Xiaoyan
;
Wang, Guohong
;
Li, Jinmin
收藏
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2012/06/14
Diodes
Electrostatic devices
Electrostatic discharge
Gallium alloys
Gallium nitride
Light emission
Surface roughness scattering in two dimensional electron gas channel
期刊论文
applied physics letters, 2010, 卷号: 97, 期号: 26, 页码: article no.262111
Liu B
;
Lu YW
;
Jin GR
;
Zhao Y
;
Wang XL
;
Zhu QS
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:50/5
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提交时间:2011/07/05
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
MOBILITY ALGAN/GAN HETEROSTRUCTURES
RAY PHOTOEMISSION SPECTROSCOPY
PERFORMANCE
ALN
MODFETS
INN
Heteroepitaxial Growth of 3C-SiC on Si (111) Substrate using AlN as a Buffer Layer
会议论文
international conference on silicon carbide and related materials, otsu, japan, oct 14-19, 2007
Zhao, YM
;
Sun, GS
;
Liu, XF
;
Li, JY
;
Zhao, WS
;
Wang, L
;
Li, JM
;
Zeng, YP
收藏
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浏览/下载:54/0
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提交时间:2010/03/09
Silicon Carbide
Aluminum Nitride
buffer layer
LPCVD
Growth and characterization of GaInNAs by molecular beam epitaxy using a nitrogen irradiation method
期刊论文
journal of crystal growth, 2009, 卷号: 311, 期号: 7, 页码: 1723-1727
Zhao H
;
Wang SM
;
Zhao QX
;
Sadeghi M
;
Larsson A
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浏览/下载:181/35
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提交时间:2010/03/08
Quantum well
Dilute nitride
Rapid thermal annealing
InGaAs
GaInNAs
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