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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Transport phenomena in radial flow MOCVD reactor with three concentric vertical inlets 期刊论文 journal of crystal growth, 2006, 卷号: 293, 期号: 2, 页码: 498-508 Zuo R (Zuo Ran); Zhang H (Zhang Hong); Liu XL (Liu Xiang-lin) 收藏  |  浏览/下载：60/0  |  提交时间：2010/04/11 flow recirculation  numerical modeling  reactor  transport process  MOCVD  thin film growth  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  PHASE EPITAXY  MOVPE REACTOR  GROWTH  DESIGN  GAN   The effect of buried AlxGa1-xN isolating layers on the transport properties of GaN deposited on sapphire substrate by molecular beam epitaxy using NH3 期刊论文 journal of crystal growth, 1998, 卷号: 192, 期号: 3-4, 页码: 471-474 Zhang JP; Sun DZ; Wang XL; Li XB; Kong MY; Zeng YP; Li JM; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2010/08/12 GaN  MBE  buried AlxGa1-xN isolating layers  GROWTH  BUFFER LAYER