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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Three-coherent-output narrow-linewidth and tunable single frequency 1x2 multi-mode-interferometer laser diode 期刊论文 optics express, 2016, 卷号: 24, 期号: 6, 页码: 5846-5854 Hua Yang; Mingqi Yang; Padraic E. Morrissey; Dan Lu; Bi Wei Pan; Lingjuan Zhao; Brian Corbett; Frank H. Peters 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2017/03/10 Fabrication and luminescence characterization of two-dimensional GaAs-based photonic crystal nanocavities 期刊论文 acta physica sinica, 2010, 卷号: 59, 期号: 10, 页码: 7073-7077 Peng YS (Peng Yin-Sheng); Ye XL (Ye Xiao-Ling); Xu B (Xu Bo); Niu JB (Niu Jie-Bin); Jia R (Jia Rui); Wang ZG (Wang Zhan-Guo); Liang S (Liang Song); Yang XH (Yang Xiao-Hong) 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2010/11/14 photonic crystal nanocavity   Modification of emission wavelength of self-assembled In(Ga)As/GaAs quantum dots covered by InxGa1-xAs(0 <= x <= 0.3) layer 期刊论文 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 期号: 0, 页码: 1062-1068 Niu ZC; Wang XD; Miao ZH; Feng SL 收藏  |  浏览/下载：77/6  |  提交时间：2010/08/12 crystal morphology  quantum dots  molecular beam epitaxy  semiconducting gallium arsenide  semiconducting indium gallium arsenide  1.35 MU-M  GAAS-SURFACES  PHOTOLUMINESCENCE  ISLANDS   1.35 mu m photoluminescence from In0.5Ga0.5As/GaAs islands grown by molecular beam epitaxy via cycled (InAs)(1)/(GaAs)(1) monolayer deposition 期刊论文 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 220, 期号: 1-2, 页码: 16-22 Wang XD; Niu ZC; Feng SL; Miao ZH 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2010/08/12 MBE  AFM  PL  quantum islands  InGaAs/GaAs  strain  QUANTUM DOTS  ROOM-TEMPERATURE  GAAS  LUMINESCENCE