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半导体研究所 [48]
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期刊论文 [45]
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学科主题
半导体材料 [48]
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学科主题:半导体材料
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Unidirectional Coupling of Surface Plasmon Polaritons by a Single Slit on a Metal Substrate
期刊论文
ieee photonics technology letters, 2016, 卷号: 28, 期号: 21, 页码: 2395-2398
Haifeng Hu
;
Xie Zeng
;
Yong Zhao
;
Jin Li
;
Haomin Song
;
Guofeng Song
;
Yun Xu
;
Qiaoqiang Gan
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2017/03/16
Investigation of cracks in GaN films grown by combined hydride and metal organic vapor-phase epitaxial method
期刊论文
nanoscale research letters, 2011, 卷号: 6, 页码: article no.69
作者:
Song HP
;
Wei HY
;
Li CM
;
Jiao CM
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浏览/下载:66/4
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提交时间:2011/07/05
CATHODOLUMINESCENCE CHARACTERIZATION
GALLIUM NITRIDE
STRESSES
LAYERS
HETEROSTRUCTURE
DEPOSITION
CONSTANTS
MECHANISM
SAPPHIRE
STRAIN
Thermal diffusion of nitrogen into ZnO film deposited on InN/sapphire substrate by metal organic chemical vapor deposition
期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 110, 期号: 11, 页码: 113509
Shi K (Shi K.)
;
Zhang PF (Zhang P. F.)
;
Wei HY (Wei H. Y.)
;
Jiao CM (Jiao C. M.)
;
Jin P (Jin P.)
;
Liu XL (Liu X. L.)
;
Yang SY (Yang S. Y.)
;
Zhu QS (Zhu Q. S.)
;
Wang ZG (Wang Z. G.)
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2012/02/22
The effect of different oriented sapphire substrates on the growth of polar and non-polar ZnMgO by MOCVD
期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 314, 期号: 1, 页码: 39-42
作者:
Song HP
;
Shi K
;
Sang L
;
Wei HY
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浏览/下载:59/3
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提交时间:2011/07/05
Metal organic chemical vapor deposition
Sapphire
Zinc compounds
Semiconducting II-VI materials
VAPOR-PHASE EPITAXY
OPTICAL-PROPERTIES
ZNO NANORODS
RAMAN-SCATTERING
M-PLANE
FILMS
PHOTOLUMINESCENCE
DEPOSITION
NANOWIRES
FIELDS
Investigation of a GaN Nucleation Layer on a Patterned Sapphire Substrate
期刊论文
chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 6, 页码: article no.68502
Wu M
;
Zeng YP
;
Wang JX
;
Hu Q
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浏览/下载:50/2
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提交时间:2011/07/05
LIGHT-EMITTING-DIODES
ULTRAVIOLET
GROWTH
Growth and fabrication of AlGaN/GaN HEMT based on Si(111) substrates by MOCVD
期刊论文
microelectronics journal, 2008, 卷号: 39, 期号: 9, 页码: 1108-1111
Luo, WJ
;
Wang, XL
;
Xiao, HL
;
Wang, CM
;
Ran, JX
;
Guo, LC
;
Li, JP
;
Liu, HX
;
Chen, YL
;
Yang, FH
;
Li, JM
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浏览/下载:45/0
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提交时间:2010/03/08
AlGaN/GaN
high electron mobility transistor (HEMT)
Si (111)
The growth temperatures dependence of optical and electrical properties of InN films
期刊论文
science in china series g-physics mechanics & astronomy, 2008, 卷号: 51, 期号: 3, 页码: 237-242
Liu, B
;
Zhang, R
;
Xie, ZL
;
Xiu, XQ
;
Li, L
;
Kong, JY
;
Yu, HQ
;
Han, P
;
Gu, SL
;
Shi, Y
;
Zheng, YD
;
Tang, CG
;
Chen, YH
;
Wang, ZG
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浏览/下载:50/2
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提交时间:2010/03/08
metalorganic chemical vapor deposition
X-ray diffraction
photoluminescence
Optimizing the GaAs capping layer growth of 1.3 mu m InAs/GaAs quantum dots by a combined two-temperature and annealing process at low temperatures
期刊论文
journal of crystal growth, 2008, 卷号: 310, 期号: 24, 页码: 5469-5472
作者:
Yang T
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浏览/下载:253/54
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提交时间:2010/03/08
Metalorganic chemical vapor deposition
Quantum dots
InAs
GaAs
Laser diodes
Study of GaN growth on ultra-thin Si membranes
期刊论文
solid-state electronics, 2008, 卷号: 52, 期号: 6, 页码: 986-989
Wang X
;
Wu AM
;
Chen J
;
Wang X
;
Wu YX
;
Zhu JJ
;
Yang H
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浏览/下载:61/2
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提交时间:2010/03/08
GaN
High-performance 2 mm gate width GaNHEMTs on 6H-SiC with output power of 22.4 W @ 8 GHz
期刊论文
solid-state electronics, 2008, 卷号: 52, 期号: 6, 页码: 926-929
Wang, XL
;
Chen, TS
;
Xiao, HL
;
Wang, CM
;
Hu, GX
;
Luo, WJ
;
Tang, J
;
Guo, LC
;
Li, JM
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浏览/下载:78/1
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提交时间:2010/03/08
AlGaN/AlN/GaN
HEMTs
SiC
power
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