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科研机构
半导体研究所 [22]
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期刊论文 [19]
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2008 [3]
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学科主题
半导体材料 [22]
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学科主题:半导体材料
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Scattering due to spacer layer thickness fluctuation on two dimensional electron gas in AlGaAs/GaAs modulation-doped heterostructures
期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 110, 期号: 2, 页码: 23705
Liu GP
;
Wu J
;
Lu YW
;
Li ZW
;
Song YF
;
Li CM
;
Yang SY
;
Liu XL
;
Zhu QS
;
Wang ZG
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2012/02/06
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
INTERFACE ROUGHNESS
QUANTUM-WELLS
MOBILITY
HETEROJUNCTION
TRANSPORT
MODEL
Growth of 2 mu m Crack-Free GaN on Si(111) Substrates by Metal Organic Chemical Vapor Deposition
期刊论文
chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: article no.48102
作者:
Pan X
;
Hou QF
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浏览/下载:85/7
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提交时间:2011/07/05
ELECTRON-MOBILITY TRANSISTORS
AL-CONTENT
STRESS-CONTROL
PHASE EPITAXY
ALGAN
BUFFER
LAYERS
HETEROSTRUCTURES
INTERLAYERS
SILICON
Dislocation core effect scattering in a quasitriangle potential well
期刊论文
applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 11, 页码: art. no. 112102
作者:
Wei HY
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浏览/下载:238/104
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提交时间:2010/03/08
aluminium compounds
carrier density
carrier mobility
dislocation density
dislocation scattering
gallium compounds
III-V semiconductors
semiconductor heterojunctions
wide band gap semiconductors
Growth and fabrication of AlGaN/GaN HEMT based on Si(111) substrates by MOCVD
期刊论文
microelectronics journal, 2008, 卷号: 39, 期号: 9, 页码: 1108-1111
Luo, WJ
;
Wang, XL
;
Xiao, HL
;
Wang, CM
;
Ran, JX
;
Guo, LC
;
Li, JP
;
Liu, HX
;
Chen, YL
;
Yang, FH
;
Li, JM
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浏览/下载:45/0
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提交时间:2010/03/08
AlGaN/GaN
high electron mobility transistor (HEMT)
Si (111)
The growth temperatures dependence of optical and electrical properties of InN films
期刊论文
science in china series g-physics mechanics & astronomy, 2008, 卷号: 51, 期号: 3, 页码: 237-242
Liu, B
;
Zhang, R
;
Xie, ZL
;
Xiu, XQ
;
Li, L
;
Kong, JY
;
Yu, HQ
;
Han, P
;
Gu, SL
;
Shi, Y
;
Zheng, YD
;
Tang, CG
;
Chen, YH
;
Wang, ZG
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浏览/下载:50/2
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提交时间:2010/03/08
metalorganic chemical vapor deposition
X-ray diffraction
photoluminescence
High-performance 2 mm gate width GaNHEMTs on 6H-SiC with output power of 22.4 W @ 8 GHz
期刊论文
solid-state electronics, 2008, 卷号: 52, 期号: 6, 页码: 926-929
Wang, XL
;
Chen, TS
;
Xiao, HL
;
Wang, CM
;
Hu, GX
;
Luo, WJ
;
Tang, J
;
Guo, LC
;
Li, JM
收藏
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浏览/下载:78/1
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提交时间:2010/03/08
AlGaN/AlN/GaN
HEMTs
SiC
power
Rapid thermal annealing properties of ZnO films grown using methanol as oxidant
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2007, 卷号: 40, 期号: 19, 页码: 6010-6013
Zhang PF (Zhang, P. F.)
;
Liu XL (Liu, X. L.)
;
Wei HY (Wei, H. Y.)
;
Fan HB (Fan, H. B.)
;
Liang ZM (Liang, Z. M.)
;
Jin P (Jin, P.)
;
Yang SY (Yang, S. Y.)
;
Jiao CM (Jiao, C. M.)
;
Zhu QS (Zhu, Q. S.)
;
Wang ZG (Wang, Z. G.)
收藏
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2010/03/29
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
Al compositional inhomogeneity of AlGaN epilayer with a high Al composition grown by metal-organic chemical vapour deposition
期刊论文
journal of physics-condensed matter, 2007, 卷号: 19, 期号: 17, 页码: art.no.176005
作者:
Yang H
;
Yang H
;
Zhao DG
;
Jiang DS
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浏览/下载:54/0
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提交时间:2010/03/29
SAPPHIRE
Electron mobility related to scattering caused by the strain variation of AlGaN barrier layer in strained AlGaN/GaN heterostructures
期刊论文
applied physics letters, 2007, 卷号: 91, 期号: 17, 页码: art.no.173507
Zhao J (Zhao, Jianzhi)
;
Lin Z (Lin, Zhaojun)
;
Corrigan TD (Corrigan, Timothy D.)
;
Wang Z (Wang, Zhen)
;
You Z (You, Zhidong)
;
Wang Z (Wang, Zhanguo)
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浏览/下载:62/0
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提交时间:2010/03/29
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
The effect of AlN growth time on the electrical properties of Al0.38Ga0.62N/AlN/GaN HEMT structures
期刊论文
journal of crystal growth, 2006, 卷号: 289, 期号: 2, 页码: 415-418
Wang CM
;
Wang XL
;
Hu GX
;
Wang JX
;
Xiao HL
;
Li JP
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浏览/下载:45/0
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提交时间:2010/04/11
2DEG
MOCVD
semiconducting III-V materials
HEMT
power devices
HETEROSTRUCTURES
PASSIVATION
SAPPHIRE
ALGAN
FIELD
GAS
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