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科研机构
半导体研究所 [6]
内容类型
期刊论文 [5]
会议论文 [1]
发表日期
2010 [1]
2009 [2]
2006 [3]
学科主题
半导体材料 [6]
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学科主题:半导体材料
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Substrate temperature dependence of ZnTe epilayers grown on GaAs(001) by molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 2010, 卷号: 312, 期号: 9, 页码: 1491-1495
Zhao J (Zhao Jie)
;
Zeng YP (Zeng Yiping)
;
Liu C (Liu Chao)
;
Li YB (Li Yanbo)
收藏
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浏览/下载:148/33
  |  
提交时间:2010/06/04
Reflection high-energy electron diffraction
Atomic force microscopy
Molecular beam epitaxy
Zinc compounds
Semiconducting II-VI materials
Binding Energy and Spin-Orbit Splitting of a Hydrogenic Donor Impurity in AlGaN/GaN Triangle-Shaped Potential Quantum Well
期刊论文
nanoscale research letters, 2009, 卷号: 4, 期号: 11, 页码: 1315-1318
Wang J (Wang Jun)
;
Li SS (Li Shu-Shen)
;
Lu YW (Lue Yan-Wu)
;
Liu XL (Liu Xiang-Lin)
;
Yang SY (Yang Shao-Yan)
;
Zhu QS (Zhu Qin-Sheng)
;
Wang ZG (Wang Zhan-Guo)
收藏
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浏览/下载:279/95
  |  
提交时间:2010/03/08
Binding energy
An internally-matched GaN HEMTs device with 45.2 W at 8 GHz for X-band application
期刊论文
solid-state electronics, 2009, 卷号: 53, 期号: 3, 页码: 332-335
作者:
Zhang ML
;
Hou QF
收藏
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浏览/下载:130/30
  |  
提交时间:2010/03/08
AlGaN/AlN/GaN
HEMT
MOCVD
SiC substrate
Power device
Growth and characterization of semi-insulating GaN films grown by MOCVD
期刊论文
journal of rare earths, 2006, 卷号: 24, 期号: sp.iss.si, 页码: 14-18
Fang CB
;
Wang XL
;
Hu GX
;
Wang JX
;
Wang CM
;
Li JM
收藏
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浏览/下载:49/0
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提交时间:2010/04/11
MOCVD
GaN
resistivity
TSC
N-TYPE GAN
DOPED GAN
SPECTROSCOPY
CARBON
FE
MOCVD-Grown AlGaN/AlN/GaN HEMT Structure with High Mobility GaN Thin Layer as Channel on SiC
期刊论文
半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 9, 页码: 1521-1525
作者:
Xiao Hongling
;
Wang Cuimei
收藏
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浏览/下载:12/0
  |  
提交时间:2010/11/23
Growth and characterization of semi-insulating GaN films grown by MOCVD
会议论文
3rd asian conference on crystal growth and crystal technology (cgct-3), beijing, peoples r china, oct 16-19, 2005
Fang, CB
;
Wang, XL
;
Hu, GX
;
Wang, JX
;
Wang, CM
;
Li, JM
收藏
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浏览/下载:203/36
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提交时间:2010/03/29
MOCVD
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